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에칭 웨이퍼

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에칭 웨이퍼

에칭 웨이퍼

에칭 처리 용 웨이퍼는 조도가 낮고 광택이 좋고 비용이 저렴하다는 특성을 가지며, 비용이 많이 드는 폴리싱 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 직접적으로 대체하여 일부 분야에서 전자 소자를 제조하여 비용을 절감한다. 저 러프 니스, 저 반사율 및 고 반사율 에칭 웨이퍼가있다.

  • 제품 세부 정보

에칭 웨이퍼


그만큼 에칭 웨이퍼 조도가 낮고, 광택이 좋으며, 비교적 저비용이라는 특징을 가지며, 비교적 비용이 높은 연마 된 웨이퍼 또는 에피 택셜 웨이퍼를 일부 분야의 전자 소자로 직접 대체하여 비용을 절감한다. 저 조도, 저 반사율 및 고 반사율이 있습니다. 에칭 웨이퍼 .


한 눈에 우리의 장점

1. 고급 에피 택시 성장 장비 및 테스트 장비.

2. 결함 밀도가 낮고 표면 거칠기가 우수한 고품질을 제공합니다.

3. 고객을위한 강력한 연구 팀 지원 및 기술 지원


fz 에칭 웨이퍼 사양

유형

전도 유형

정위

직경  범위 (mm)

비저항  범위 (Ωcm)

기하학적 인  매개 변수, 입자 성, 표면 금속

fz

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

u0026 gt; 1000

t≥180 ( ) ttv≤2 ( ) tir≤2 ( ) 최대  반사율은 90 %

ntdfz

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

30-800

cfz

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

1-50

gdfz

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

0.001-300

cz 에칭 웨이퍼 사양

유형

전도 유형

정위

직경  범위 (mm)

비저항  범위 (Ωcm)

기하학적 인  매개 변수, 입자 성, 표면 금속

mcz

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt;  u0026 lt; 110 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

1-300

t≥180 ( ) ttv≤2 ( ) tir≤2 ( ) 최대  반사율은 90 %

cz

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt;  u0026 lt; 110 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

1-300

무겁게 mcz  도핑 된

n & p

u0026 lt; 100 u0026 gt;  u0026 lt; 110 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

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pam-xiamen은 포토 레지스트가있는 포토 레지스트 판을 제공합니다. 우리는 nanolithography (포토 리소그래피) : 표면 준비, 포토 레지스트 적용, 소프트 베이크, 정렬, 노광, 현상, 하드 베이크, 현상 검사, 에칭, 포토 레지스트 제거 (스트립), 최종 검사를 제공 할 수 있습니다.12

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