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웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

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제품 세부 정보

gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼 기반

led 웨이퍼 제조업체로 우리는 마이크로 led 또는 ultra thin wafer 또는 uv led 연구 또는 led 제조업체와 같은 led 및 레이저 다이오드 (ld) 응용 프로그램에 대 한 led 웨이퍼를 제공합니다. 그것은 pss 또는 lcd 백 라이트, 모바일, 전자 또는 자외선 (청색 또는 녹색 또는 적색 방출), ingan / gan 활성 영역 및 다른 칩 크기에 대한 gan well / algan 장벽이있는 algan 층을 포함합니다.

gan on al2o3-2 "epi 웨이퍼 사양 (led epitaxial wafer)

자외선 주도 : 365nm, 405nm

화이트 : 445 ~ ~ 460 nm

푸른 : 465 ~ ~ 475 nm

녹색 : 510 ~ ~ 530 nm

1. 성장 기술 - mocvd

2. 웨이퍼 지름 : 50.8mm

3. 웨이퍼 기판 재료 : 패턴 화 된 사파이어 기판 (Al2O3)

4. 웨이퍼 패턴 크기 : 3x2x1.5μm

5. 웨이퍼 구조 :

구조 층	두께 (㎛)
P-GAN	0.2
피 알간	0.03
ingan / gan (활성 지역)	0.2
앤 간	2.5
우간다	3.5
al2o3 (기판)	430

칩을 만들기위한 6. 웨이퍼 매개 변수 :

목	색깔	칩 크기	형질	외관	u0026 emsp;
pam1023a01	푸른	10 밀 x 23 밀	u0026 emsp;	u0026 emsp;	조명
			vf = 2.8 ~ 3.4v		액정 백라이트
			포 = 18 ~ 25mw		변하기 쉬운 가전 제품
			wd = 450 ~ 460nm		소비자 전자
pam454501	푸른	45mil x 45mil	vf = 2.8 ~ 3.4v	u0026 emsp;	일반 조명
			vf = 2.8 ~ 3.4v		일반 조명
			포화 지방 = 250 ~ 300mw		액정 백라이트
			wd = 450 ~ 460nm		집 밖의 디스플레이

* 블루 리드 칩의 상세 정보를 알고 싶다면 영업 부서에 문의하십시오.

7. 에피 택셜 웨이퍼의 적용 :

조명

액정 백 라이트

모바일 기기

소비자 전자 제품

pam-xiamen의 gan 기반 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 초 고휘도 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED)

갈륨 (갈륨 아세 나이드) 계 주도 웨이퍼 :

gaas led wafer에 관해서, 그들은 mocvd에 의해 성장되었다.

적색 : 585nm, 615nm, 620 ~ ~ 630nm

노란색 : 587 ~ 592nm

연두색: 568 ~ 573

이러한 세부적인 가우시가 웨이퍼 사양을 이끌 었는지 확인하려면 다음 사이트를 방문하십시오. 가우스 epi 웨이퍼 주도

* 2 인치짜리 (0001) 기판 또는 사파이어 기판 위에 * 레이저 구조가 가능합니다.

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