최근 뉴스

자립형 독립 기판

pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.

moq :
1

지금 연락하세요

제품 세부 정보

자립형 독립 기판

pam-xiamen은 다음과 같은 제조 기술을 확립했습니다. 자립 (질화 갈륨) 기판 웨이퍼는 uhb-led 및 ld 용입니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장 된 우리의 기판은 낮은 결함 밀도와 적은 또는 자유로운 매크로 결함 밀도를 갖는다.

사양 자립형 독립 기판

여기 세부 사양을 보여줍니다 :

2 " 독립형 (질화 갈륨) 기판

목	pam-fs-gan50-n	pam-fs-gan50-si

전도 유형	n 형	반 절연
크기	2 "(50.8) ± 1mm
두께	300 +/- 50um
정위	c 축 (0001) +/- 0.5^영형
1 차 평면 위치	(1-100) +/- 0.5^영형
1 차 평면 길이	16 ± 1mm
보조 평면 위치	(11-20) +/- 3^영형
보조 평면 길이	8 ± 1mm
저항률 (300k)	u003c0.5Ω · cm	u0026 gt; 10⁶ Ω · cm
탈구 밀도	u003c5x10⁶ cm-2
마르코 결점 밀도	≤2cm^-2 비 학년 u0026 gt; 2cm^-2
텔레비젼	≤15um
활	≤20um
표면 마무리	전면 : ra u003c0.2nm.epi-ready 우아한

뒷면 : 1.fine ground 2.rough grinded

사용 가능 면적 ≥ 90 %

1.5 " 독립형 기질 기판

목	pam-fs-gan38-n	pam-fs-gan38-si

전도 유형	n 형	반 절연
크기	1.5 "(38.1) ± 0.5mm
두께	260 +/- 20um
정위	c 축 (0001) +/- 0.5^영형
1 차 평면 위치	(1-100) +/- 0.5^영형
1 차 평면 길이	12 ± 1mm
보조 평면 위치	(11-20) +/- 3^영형
보조 평면 길이	6 ± 1mm
저항률 (300k)	u003c0.5Ω · cm	u0026 gt; 10⁶ Ω · cm
탈구 밀도	u003c5x10⁶ cm-2
마르코 결점 밀도	≤2cm^-2 비 학년 u0026 gt; 2cm^-2
텔레비젼	≤15um
활	≤20um
표면 마무리	앞 표면 : ra u003c0.2nm.epi-ready polished

뒷면 : 1.fine ground 2.rough grinded

사용 가능 면적 ≥ 90 %

15mm, 10mm, 5mm 독립형 기질 기판

목	pam-fs-gan15-n pam-fs-gan10-n pam-fs-gan5-n	pam-fs-gan15-si pam-fs-gan10-si pam-fs-gan5-si

전도 유형	n 형	반 절연
크기	14.0mm * 15mm 10.0mm * 10.5mm 5.0 * 5.5mm
두께	230 ± 20um, 280 +/- 20um
정위	c 축 (0001) +/- 0.5^영형
1 차 평면 위치	u0026 emsp;
1 차 평면 길이	u0026 emsp;
보조 평면 위치	u0026 emsp;
보조 평면 길이	u0026 emsp;
저항률 (300k)	u003c0.5Ω · cm	u0026 gt; 10⁶ Ω · cm
탈구 밀도	u003c5x10⁶ cm-2
마르코 결점 밀도	0cm^-2
텔레비젼	≤15um
활	≤20um
표면 마무리	앞 표면 : ra u003c0.2nm.epi-ready polished

뒷면 : 1.fine ground 2.rough grinded

사용 가능 면적 ≥ 90 %

노트:

확인 웨이퍼 : 사용 편의성을 고려하여, 2 인치 이하 크기의 2 인치 사파이어 검증 웨이퍼를 제공하는 pam-xiamen 자립형 독립 기판

간 기판의 응용

고체 조명 : GAN 장치는 초 고휘도 발광 다이오드 (LED), TV, 자동차 및 일반 조명으로 사용됩니다.

DVD 스토리지 : 블루 레이저 다이오드

전력 장치 : gan 장치는 셀룰러 기지국, 위성, 전력 증폭기 및 전기 자동차 (ev) 및 하이브리드 전기 자동차 (hev) 용 인버터 / 컨버터와 같은 고전력 및 고주파 전력 전자 장치의 다양한 구성 요소로 사용됩니다. gan의 이온화 방사선 (다른 그룹 Ⅲ 질화물과 같은)에 대한 민감도는 인공위성 용 태양 전지 배열 및 통신, 날씨 및 감시 위성용 고출력 고주파 장치와 같은 우주 항공 응용 분야에 적합합니다

iii- 질화물 재 성장에 이상적

무선 기지국 : rf 전력 트랜지스터

무선 광대역 액세스 : 고주파수, rf 회로

압력 센서 : 멤

열 센서 : pyro-electric detector

파워 컨디셔닝 : 혼합 신호 간 / si 통합

자동차 전자 제품 : 고온 전자 제품

송전선로 : 고전압 전자 장치

프레임 센서 : 자외선 검출기

태양 전지 : gan의 넓은 밴드 갭은 0.65 ev에서 3.4 ev (사실상 전체 태양 스펙트럼)의 태양 스펙트럼을 포함하여 인듐 갈륨 질화물

(ingan) 합금으로 태양 전지 소재를 만드는데 이상적입니다. 이러한 장점으로 인해 Gan 기판에서 성장한 잉곳 태양 전지는 Gan 기판 웨이퍼의 가장 중요한 새로운 응용 분야이자 성장 시장 중 하나가 될 태세를 취하고 있습니다.

헴, 팻에 이상적

gan schottky diode 프로젝트 : 우리는 hvpe로 성장한 독립형 질화 갈륨 (GaN) 층에 n 형 및 p 형으로 제작 된 쇼트 키 다이오드의 맞춤 사양을 수용합니다.

Al / Ti 및 Pd / Ti / Au를 사용하여 상부 표면 상에 양 접점 (오믹 및 쇼트 키)을 증착시켰다.

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.

관련 상품

GAN 템플릿

pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12

웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼

갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 .

기판

pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12

너 뭐 찾고 있니??