우리에 대해

1990 년 이전에는 응축 물질 물리학 연구 센터 소유였습니다. 1990 년, 센터는 Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd (PAM-XIAMEN)을 시작했으며 현재 중국에서 화합물 반도체 재료의 선도적 인 제조업체입니다.

PAM-XIAMEN은 1 세대 게르마늄 웨이퍼, ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 III-V 실리콘 도핑 n 형 반도체 재료에 대한 기판 성장 및 에피 택시가있는 2 세대 갈륨 비소로부터의 고급 결정 성장 및 에피 택시 기술을 개발합니다 mbe 또는 mocvd에 의해 3 세대로 성장 : 주도 및 전력 장치 응용을위한 실리콘 카바이드 및 질화 갈륨.

품질이 최우선입니다. PAM-XIAMEN은 iso9001 : 2008 인증을 받았으며 중국 품질 감독, 검사 및 검역 총장으로부터 우등상을 수상했습니다. 우리는 소유하고 고객의 다양한 요구를 충족하기 위해 자격을 갖춘 제품의 꽤 큰 범위를 제공 할 수있는 4 현대 공장을 공유합니다.

팸 - 하문의 역사

^전에 1990 년

우리는 소유 된 응축 물질 물리 연구 센터

^년 1990 년

Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd(PAM-XIAMEN) 설립. PAM-XIAMEN은 첨단 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 소자를 개발합니다.

^년 2001 년

PAM-XIAMEN은 반도체 재료 - 게르마늄 재료 및 웨이퍼 생산 라인을 설립했습니다.

^년 2004 년

PAM-XIAMEN은 실리콘 카바이드 소재의 연구 개발을 시작했습니다. 3 년 후, 회사는 gan 에피 택시 장치, 전력 장치, 고온 장치 및 광전자 장치에 적용되는 연구원 및 산업 제조업체를 위해 다양한 품질 등급의 폴리 유형 4h 및 6h 제조업체 실리콘 카바이드 기판 생산 라인을 설립했습니다.

^년 2007 년

PAM-XIAMEN은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 비소 물질을 개발 및 제조하고 에피 웨이퍼 서비스를 제공합니다.

^년 2009 년

PAM-XIAMEN은 에피 택셜 웨이퍼와 함께 질화 갈륨 재료의 제조 기술을 확립했습니다.

^년 2011 년

상업용 cdznte 물질은 전자를 효과적으로 전자로 변환 할 수있는 새로운 반도체 인 대량 생산에 있으며 적외선 박막 에피 택시 기판, X 선 및 γ 선 검출, 레이저 광 변조, 고성능 태양 전지 및 기타 첨단 기술 분야.

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