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가스 웨이퍼

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100) 방향으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 지닌 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.

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제품 세부 정보

xiamen powerway는 leb (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 다른 유형 (111) 또는 (100)의 n 형, p 형 또는 반절 연형으로 epi-ready 또는 기계 등급으로 성장한 gasb 웨이퍼 - 갈륨 안티 모나 이드를 제공합니다.

갈륨 안티 모나 이드 (gasb)는 iii-v 족의 갈륨 및 안티몬의 반도체 화합물입니다. 그것은 약 0.61 nm의 격자 상수를 갖는다. gasb는 적외선 탐지기, 적외선 led 및 레이저 및 트랜지스터, 열광 계 시스템.

웨이퍼 사양
목	명세서
웨이퍼 지름	2 "50.5 ± 0.5mm 3 "76.2 ± 0.4mm 4 "1000.0 ± 0.5mm
결정 방위	(100) ± 0.1 °
두께	2 "500 ± 25um 3 "625 ± 25um 4 "1000 ± 25um
1 차 평면 길이	2 "16 ± 2mm 3 "22 ± 2mm 4 "32.5 ± 2.5mm
보조 평면 길이	2 "8 ± 1mm 3 "11 ± 1mm 4 "18 ± 1mm
표면 마무리	p / e, p / p
꾸러미	에피 준비, 단일 웨이퍼 컨테이너 또는 cf 카세트

전기 및 도핑 사양
전도 유형	P 형	P 형	n 형	n 형	n 형
도펀트	도망자가없는	아연	텔루르	낮은 텔 루륨	높은 텔루르
e.d.p cm^-2	2 " ≤ 2000 년 삼" ≤ 5000	2 " ≤ 2000 년 삼" ≤ 5000	2 ", 3" ≤ 1000 4 " ≤ 2000 년	2 " ≤ 1000 3 ", 4" ≤ 2000 년	2, "3", 4 " ≤ 500
이동성 cm² v^-1 에스^-1	≥500	450-200	3500-2000	3500-2000	3500-2000
캐리어 농도 cm^-삼	≤ 2 * 10¹⁷	≥ 1 * 10¹⁸	( 91-900 ) * 10¹⁷	≤ 2 * 10¹⁷	≥ 5 * 10¹⁷

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웨이퍼 인서트

xiamen powerway는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 n 형, p 형 또는 반 절연성을 갖는 epi-ready 또는 기계 등급으로 lec (액상 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 인 비움 웨이퍼 - 인듐 안티몬화물을 제공합니다.

inp 웨이퍼

xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 반 절연성이 다른 (111) 또는 ((111) 또는 (111)으로) lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키) 또는 vgf 100).

inas 웨이퍼

xiamen powerway는 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 유형, p 유형 또는 반 절연 (111) 또는 (100)으로 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)로 성장한 웨이퍼 - 인듐 비소화물을 제공합니다.

갭 웨이퍼

아모이 파워 웨이는 갭 웨이퍼 - 갈륨 포스 파이드를 제공하며 이는 lec (액체 캡슐화 된 초크 랄 스키)를 epi-ready 또는 기계적 등급으로 n 형, p 형 또는 상이한 배향 (111) 또는 (100)에서 반 절연성을 갖는다.

pam-xiamen은 반도체 실리콘 카바이드 웨이퍼, 연구원을위한 다양한 품질의 등급으로 6 시간 및 4 시간을 제공합니다. 및 산업 제조업체. 우리는 sic 결정 성장 기술 및 sic 결정 웨이퍼 가공 기술을 개발했다, gan 에피 택시 디바이스, 파워 디바이스, 고온 장치 및 광전자 장치. 고급 분야의 선두 제조 업체가 투자 한 전문 회사로서 첨단 소재 연구 및 주정부 기관과 중국의 반도체 연구소와의 협력을 통해 우리는 지속적으로 현재 기판의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발할 수 있습니다.12

GAN 템플릿

pam-xiamen의 템플릿 제품은 사파이어 기판에 증착 된 갈륨 나이트 라이드 (gan), 알루미늄 나이트 라이드 (aln), 알루미늄 갈륨 나이트 라이드 (algan) 및 인듐 갈륨 니트 라이드 (ingan) silicon carbide 또는 silicon.pam-xiamen의 템플릿 제품은 비용, 수율 및 성능면에서 디바이스를 향상시킬 수있는 우수한 구조적 품질과 높은 열 전도성으로 20 ~ 50 % 더 짧은 에피 택시 사이클 시간과 고품질 에피 택셜 디바이스 레이어를 가능하게합니다.12

sic 에피 택시

우리는 탄화 규소 디바이스의 개발을 위해 6h 또는 4h 기판에 주문형 박막 (실리콘 카바이드) sic 에피 택시를 제공합니다. sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터, 접합 전계 효과 트랜지스터, 바이폴라 접합 트랜지스터, 사이리스터, gto 및 절연 게이트 바이폴라에 사용됩니다.12

너 뭐 찾고 있니??