부유 단결정 실리콘

유형

전도 유형

정위

직경 (mm)

전도도 (Ω · cm)

높은 저항

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

u0026 gt; 1000

국방부

엔

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

30-800

cfz

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

1-50

gd

n & p

u0026 lt; 100 & u0026 lt; 111 u0026 gt;

76.2-200

0.001-300

주괴 파라미터

목

기술

자라는 방법

fz

정위

u0026 lt; 111 u0026 gt;

오프 - 오리엔테이션

4 ± 0.5도까지  가장 가까운 u0026 lt; 110 u0026 gt;

타입 / 도펀트

p / 붕소

비저항

10-20 w.cm

rrv

≤15 % (최대  에지 센) / 센

웨이퍼 파라미터

목

기술

직경

150 ± 0.5 mm

두께

675 ± 15 음

1 차 평면  길이

57.5 ± 2.5 mm

1 차 평면  정위

u0026 lt; 011 u0026 gt; 1  정도

보조 평면  길이

없음

보조 평면  정위

없음

텔레비젼

≤5 음

활

≤40 음

경사

≤40 음

에지 프로파일

준 표준

전면

화학적 인  세련

lpd

0.3 um @ ≤15 개

뒷면

산 에칭

가장자리 칩

없음

꾸러미

진공 포장;  내부 플라스틱, 외부 알루미늄