고성능 실리콘 카바이드 ( SiC ) 전력 디바이스에서 p 형 SiC에 대한 저 저항 옴 접촉이 개발되어야한다. 오믹 접촉 저항을 감소시키기 위해, SiC / SiC 계면에서의 장벽 높이의 감소 또는 SiC 기판에서의 도핑 농도의 증가가 필요하다. 배리어 높이의 감소가 극히 어렵 기 때문에, Al의 도핑 농도를 4H-SiC 이온 주입 기술에 의해 도전성을 부여 받았다. Ti / Al 및 Ni / Ti / Al 금속 (여기서 슬래시 "/"기호는 증착 시퀀스를 나타냄)은 Al 이온 주입 SiC 기판에 증착되었다. 실험적 및 이론적 접촉 저항을 비교함으로써, 금속 / SiC 계면을 통한 현재의 전달 메커니즘은 열 이온 전계 방출 인 것으로 결론 지어졌으며 장벽 높이는 ~ 0.4eV로 결정되었다. 4H-SiC에서 Al 도핑 농도가 증가함에 따라 홀 농도가 증가했지만, 투과 전자 현미경에 의해 주입 된 SiC 층에서 관찰 된 전위 루프의 고밀도 때문에 금속 / SiC 계면에서 장벽 높이가 증가했다. 본 실험은 이온 주입 후 4H-SiC 기판에 형성된 결정 결함을 제거하는 기술이 개발 될 때 저 저항 오믹 접촉이 형성 될 것이라고 제안했다.
출처 : IOPscience
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