흑연 캡 핑층은 주입 후 어닐링 동안 패턴 화되고 선택적으로 주입 된 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 표면을 보호하기 위해 평가되었다. az-5214e 포토 레지스트를 750에서 850 ° C 범위의 온도에서 진공으로 스핀 및 베이킹하여 평면 및 메사 에칭 표면 상에 최대 2μm 피쳐의 연속 코팅을 형성했습니다. 수소화 된 중합체 - 유사 막의 나노 결정질 그래파이트 층으로의 완전한 전환은 라만 분광법에 의해 확인되었다. 흑연 캡 핑층은 손상되지 않은 상태로 유지되어 30 분 동안 최대 1650 ° C의 온도에서 아르곤 분위기에서 후속 어닐링하는 동안 평면 및 메사 에칭 된 표면 모두를 보호한다. 주입 영역에서 스텝 번칭 및 도펀트 외부 확산을 효과적으로 억제하면서 동시에 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 비 주입 된 ...
샤먼 기반의 레이저 웨이퍼 성장 및 기타 관련 제품 및 서비스를위한 에피 서비스의 선도적 인 공급 업체 인 샤먼 파워 웨이 (Shi Maeng)는 2017 년에 3 \"크기의 새로운 가용성을 발표했다.이 신제품은 자연을 대표한다. ~에 더해서 팸족 의 제품 라인. 박사. shaka는 \"우리는 고객들에게 인터넷 광섬유 통신의 기본 능동 소자 (레이저 광원)를보다 잘 개발하고 신뢰할 수있는 많은 것을 포함하여 양자 우물 레이저 구조를 제공하게 된 것을 기쁘게 생각합니다. 우리의 레이저 다이오드 에피 택셜 구조는 탁월합니다 갈륨 아세 나이드 및 인듐 인화물 웨이퍼상의 양자 우물 레이저베이스, 양자 우물을 이용하는 레이저 및 이산 전자 모드는 모프 (move) 및 mbe 기술에 의해 제조되며 자외선에서 z 영역까...
우리는 통합을위한 새로운 프로세스를 제시한다. 게르마늄 실리콘 - 온 - 인슐레이터 (SOI) 웨이퍼와 함께. 게르마늄은 두 개의 산화물 층 (성장 된 산화물 및 매장 된 산화물) 사이에서 게르마늄을 트래핑하면서 산화되는 소이에 주입된다. 주입 및 산화 조건을주의 깊게 제어하여이 공정은 거의 순수한 게르마늄의 얇은 층 (현재 실험은 최대 20 ~ 30nm를 나타냅니다)을 만듭니다. 상기 층은 적외선 파장에 민감한 집적 광 검출기의 제조에 잠재적으로 사용될 수 있거나, 또는 추가로 게르 음 마니 성장. 결과는 전자 현미경 및 러더 포드 (rutherford) 후방 산란 분석뿐만 아니라 공정의 분석적 설명을 사용한 예비 모델링으로부터 도출된다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하...
마이크로 머신 된 알간 / GAN 고 전자 이동도 트랜지스터 ( 반점 ) 다이아몬드 형 탄소 / 티타늄 (dlc / ti) 열 발산 층을 갖는 Si 기판상에서의 열처리를 조사 하였다. 뛰어난 열전도 도와 열팽창 계수 갠 dlc / ti는 구멍을 통해 Si 기판을 통해 간헐적 인 힘의 열을 효율적으로 발산합니다. dlc 설계의이 헴은 또한 굽힘 조건 (변형율 : 0.01 %)에서 안정적인 전류 밀도를 유지했습니다. 적외선 열 화상 촬영 영상은 표준 멀티 핑거 전력 헤트 층의 열 저항이 13.6 k / w이고 후면 dlc / ti 복합 층을 사용한 마이크로 머신 처리로 인해 5.3 k / w로 향상되었음을 보여주었습니다. 따라서, 제안 된 dlc / ti 열 발산 층은 열 방출 층에서 효율적인 열 관리를 실현했...
350 ℃의 어닐링 온도를 갖는 습식 웨이퍼 본딩 방법에 의해 형성된 inas / si 헤테로 접합이 투과 전자 현미경 (tem)에 의해 조사되었다. inas 및 si는 밝은 영역의 온도 영상에서 2μm 길이의 시야에서 보이드없이 균일하게 결합되는 것이 관찰되었다. 고해상도의 온도 이미지는inas시 격자 이미지의 경우, 두 결정을 원자 적으로 결합시키는 역할을하는 10-12 nm 두께의 비정질적인 구조를 갖는 전이 층이 존재한다. 전이 층은 고각 환형 암시 야 스캔 이미지에서 상이한 밝기의 2 개의 층으로 분리되었다. 에서의 분포,Si, 헤테로 계면 부근의 o 원자를 에너지 분산 X 선 분광법으로 조사 하였다. in, as 및 si 원자의 양은 전이 층을 포함하는 20 nm 두께의 중간 층에서 점진적으로 변...
우리는 결함이없는 아연 브레이 드 insb 나노 와이어의 au-assisted 화학 빔 에피 택시 성장을보고했다. 재배 된 insb 세그먼트는 inas (111) b 기판상의 inas / insb 헤테로 구조의 상부 섹션이다. 우리는 시간 분석을 통해 아연 결함을 스태킹 결함이나 트윈 평면과 같은 결정 결함없이 성장시킬 수 있음을 보여줍니다. 스트레인 - 맵 분석은 insb 세그먼트가 인터페이스로부터 수 나노 미터 이내에 거의 이완되어 있음을 보여줍니다. 포스트 성장 연구에 의해 촉매 입자 조성은 auin2이며, tdmasb 플럭스 하에서 샘플을 냉각시킴으로써 auin 합금으로 변할 수 있음을 발견했다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconducto...
최근의 에피 택셜 막의 성장에 대한 개요를 살펴 본다. 현재 근원 영화의 성장에 사용되는 기본 고전적 방법이 논의되고 그 장점과 단점이 탐구된다. Si 상에 에피 택셜 막을 합성하는 새로운 방법에 대한 기본 아이디어 및 이론적 배경이 제시되어있다. 새로운 방법은 기판 표면에 원자의 증발이 이용되는 박막 성장의 고전적 기술과 현저히 다르다는 것을 알 수있다. 새로운 방법은 실리콘 매트릭스 내의 일부 원자가 탄소 원자에 의해 치환되어 분자를 형성하는 것을 기본으로한다. 탄화 규소 . 실리콘 매트릭스의 결정 구조를 파괴하지 않으면 서 다음과 같은 핵 생성의 후속 공정이 발생하고, 성장 된 필름의 배향은 실리콘 매트릭스의 원래 결정 구조에 의해 부과된다는 것을 알 수있다 ( 필름 성장의 전통적인 방법). 새로운 에...
inas 세그먼트는 처음에 실리콘 기판 상에 액적 에피 택시에 의해 생성 된 가오스 섬 (gaas island) 위에 성장되었다. 우리는 inas 퇴적을위한 성장 매개 변수 공간을 체계적으로 탐구하고, 선택 성장을위한 조건을 확인했습니다. 가아 순전히 축 성장을 위해서. 축 방향 inas 부분은 아래쪽에있는 가우 스베이스 섬에 비해 측벽이 30 $ ^ {{} ^ circ $만큼 회전하여 형성되었다. 싱크로트론 X- 선 회절 실험 결과, inas 세그먼트는 주로 아연광 결정 구조와 스태킹 결함이있는 가우시 (ga) 상단에서 편안하게 성장합니다. 출처 : iopscience 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 :www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오.angel.ye@...
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
