X 선 지형 및 화학적 에칭 검사 Si : Ge 단결정 정확한 격자 파라미터 측정과 함께 1.2 at % 및 3.0 at % Ge를 함유하는 기판을 수행 하였다. Ge 원자의 불균일 한 분포로 인한 아마도 동심원 인 '준 원'(줄무늬)의 회절 콘트라스트가 투영 토포 그래프에서 관찰되었다. 에칭 패턴은 스트라이프 및 전위에 상응하는 밴드를 에치 피트로서 나타내었다. 중앙 '핵심'결정 영역 (줄무늬가없는)은 단면 형상 분석에서 결론 지은 바와 같이 미세 결함에 의해 크게 교란 된 결정 격자를 나타냈다. 격자 파라미터 측정은 분포의 불균일성을 보여 주었다. Ge 원자 샘플을 가로 질러 다른 최고의 기타 팸 - 하만 같은 제품 게르마늄 웨이퍼 , 에피 웨이퍼 , 에피 택셜 웨이퍼 환영합...
우리는 웨이퍼에 내장 된 온도 센서의 열 응답 시간을 결정하기위한 비접촉 방법을 제시합니다. 이 방법에서, 플래시 램프는주기적인 펄스로 웨이퍼상의 스폿을 조명한다; 스폿은 테스트중인 센서와 반대쪽에 있습니다. 그런 다음 센서의 열 시간 상수는 시간 응답의 측정과 센서 및 웨이퍼 내부의 열 흐름의 이론적 모델과 함께 얻어집니다. 백금 저항 온도계 (PRT)와 열전쌍에 대한 실험 데이터 규소 웨이퍼 열 전달 모델과 잘 일치 함을 보여줍니다. 넓은 범위의 실험 변수에 대한 열 응답 시간의 값은 표준 편차 8 % (PRT)와 20 % (열전쌍) 이내로 일치하며 결과의 일관성을 나타냅니다. 이 방법은 계측 된 실리콘 웨이퍼에 사용되는 센서의 열 특성을 결정하는 데 직접 적용 할 수 있습니다. 우리는이 방법이 새로운 ...
13.56 MHz에서 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD)을 사용하여, 시드 층은 수소화 된 미세 결정질의 초기 성장 단계에서 제조된다 실리콘 게르마늄 (μc-Si1-xGex : H) i- 층을 포함한다. μc-Si1-xGex : H 층의 성장과 μc-Si1-xGex의 성능에 대한 시드 프로세스의 영향 : Hp-i-n 단일 접합 태양 전지 조사됩니다. 이 시딩 방법을 적용함으로써, μc-Si1-xGex : H 태양 전지는 μc-Si : H 태양 전지로서의 청색 응답의 수용 가능한 성능으로 단락 전류 밀도 (Jsc) 및 필 팩터 (FF) Ge 함유량 x가 0.3까지 증가하더라도 마지막으로 μc-Si0.7Ge0.3 : H 태양 전지의 효율을 7.05 % 향상시켰다. 출처 : iopscience 더 자세한...
GaSb 박막 성장의 직교 실험 GaAs 기판 저압 금속 - 유기 화학 기상 증착 (LP-MOCVD) 시스템을 사용하여 설계 및 수행되었다. 제조 된 필름의 결정 성 및 미세 구조를 비교 분석하여 최적 성장 파라미터를 달성 하였다. 최적화 된 GaSb 박막은 (004) ω- 로킹 커브의 반치폭 (358 arc sec)이 좁고, 제곱 평균 제곱근 거칠기가 약 6 nm 인 매끄러운 표면을 가지며, 이는 헤테로 에피 택셜 단결정 막의 경우에 전형적이다. 또한 Raman 스펙트럼을 이용하여 GaSb 박막의 층 두께가 전위 밀도에 미치는 영향을 연구 하였다. 우리의 연구가 고결 정성 GaSb 박막 메인 스트림 성능의 전자 장치에서 제작 된 중 적외선 장치의 통합 확률을 높일 수 있습니다. 출처 : iopscience...
균질 재료의 경우, 주로 Newton 's 알고리즘을 기반으로하는 수치 최적화 과정과 관련된 초음파 침지 법을 사용하여 다양한 합성 및 천연 복합 재료에 대한 탄성 상수를 결정할 수 있습니다. 그럼에도 불구하고 고려 대상 물질이 동질성 가설의 한계에있을 때 기존 최적화 절차의 주요 한계가 발생합니다. 이는 짠 양방향 SiC 매트릭스의 경우이며, SiC 섬유 복합 재료. 본 연구에서는 2D SiC의 탄성 상수 결정을위한 두 가지 수치 적 방법을 개발했다. SiC 복합 재료 (2D SiC / SiC). 첫 번째 것은 Newton의 알고리즘을 기반으로합니다. 탄성 상수는 실험 속도와 계산 속도 간의 제곱 편차를 최소화하여 얻습니다. 두 번째 방법은 Levenberg-Marquardt 알고리즘을 기반으로합니...
직접 접착 된 1.5 μm 두께의 GaInAsP 레이저 다이오드 (LD)의 결합 온도에 따른 레이 징 특성 InP 기판 또는 Si 기판 성공적으로 획득되었다. 우리는 InP 기판 또는 Si 기판에 350, 400, 450 ℃의 접착 온도에서 직접 친수성 웨이퍼 본딩 기술을 사용하고, 증착 된 GaInAsP 또는 InP 이중 헤테로 구조 층 이 InP / Si 기판 상에 형성된다. 이들 결합 온도에서 표면 조건, X- 선 회절 (XRD) 분석, 광 발광 (PL) 스펙트럼 및 성장 후 전기적 특성을 비교 하였다. 이러한 결합 온도에서 X 선 회절 분석 및 PL 스펙트럼에서 유의 한 차이는 확인되지 않았다. 우리는 350 ℃와 400 ℃에서 접합 된 InP / Si 기판상의 GaInAsP LD의 실온 레이 징을 ...
n형 및 p형 실리콘 웨이퍼의 공간 분해 도펀트 농도 [2.2] Nd 및 전기 저항률 ρ에 대한 비접촉식 비파괴 이미징 방법다양한 레이저 조사 강도에서 고정 캐리어그래피 이미지를 사용하는 것이 제시됩니다. 알려진 저항률을 가진 웨이퍼 사이트의 진폭 및 위상 정보를 사용하여 절대 캐리어 생성률을 정확하게 결정하기 위한 보정 계수를 도출했습니다. 도펀트 밀도 이미지를 추출하기 위해 포토캐리어 방사 측정 신호의 비선형 특성에 기반한 주파수 영역 모델을 사용했습니다. 이 방법론을 통해 얻은 n형 및 p형 웨이퍼의 저항률 측면 변화는 기존의 4점 프로브 측정으로 얻은 것과 매우 일치하는 것으로 나타났습니다. 이 모든 광학 비접촉식 방법은 도핑 밀도 및 전기 저항 측정과 넓은 반도체 영역에 대한 이미지를 위한 비파괴 ...
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