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저에너지 이온빔 증착에 의한 게르마늄 및 실리콘 막 성장

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저에너지 이온빔 증착에 의한 게르마늄 및 실리콘 막 성장

2017-09-19

저에너지 이온빔 증착 시스템의 설계 및 특성이 논의된다. 시스템에서, 100 ev의 에너지를 갖는 금속 이온은 4-5 μa / cm2의 전류 밀도로 기판 상에 증착된다. 게르마늄 단결정 막은 게르마늄 300 ° C 이상의 기판 온도에서 실리콘 (111) 및 실리콘 (111) 기판 200 ° C 이하의 증착의 경우, 필름은 비정질이며 300 ° C 이상의 어닐링에 의해 재결정된다. 500eV 이상의 이온 에너지가 사용될 때, 기판의 스퍼터링이 지배적이며, Ge + 이온 및 실리콘 기판 조합에 대해서는 증착이 관찰되지 않는다. 그 결과는 저에너지 이온 빔 증착에 의해 박막을 성장시키는 가능성을 보여 주었다.


soource : iopscience


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