오늘날 gan 기술은 실리콘 카바이드 (sic상의 gan), 실리콘상의 갈륨 질화물 (gan on si) 및 사파이어 (gan on sapphire)의 갈륨 질화물과 같은 중요한 기술 플레이어 - 갈륨 질화물이다. 그들은 led, rf 및 마이크로 웨이브 장치에 사용됩니다. 우리는 가나와 그 수명주기에 비해 gan 공급망에서 딜레마를 볼 수 있습니다. 비용에 민감한 애플리케이션은 여전히 ​​가우스 기술의 길을 걷게 될 것이다. 동시에 파운드리 및 연구원은 전문 gan 프로세스를 통해 다양한 양의 소량 응용 프로그램을 서비스 할 것입니다. sic에 대한 gan은 기판 재료의 비용이 높기 때문에 소량의 틈새 어플리케이션에 초점을 맞출 것이고 si의 gan은 낮은 비용의 기판을 가지고 있지만 효율성은 낮습니다. 그러나 우리는 도로상의 혁신 기술로 인해 미래의 꽃을 볼 수 있습니다. 여기에 우리의 GAN 에피 택셜 기술을 소개하고 싶습니다.

헴, led에 대한 sic, si 및 사파이어 기판에 맞춤형 gan 에피 택시 :

no.1. 4h 또는 6h 기판상의 c면 (0001) 연

1) undoped gan 버퍼 또는 aln 버퍼가 사용 가능합니다.

2) n 형 (Si 도핑 또는 도핑되지 않음), p 형 또는 반 절연 GAN 에피 택셜 층 이용 가능;

3) n- 타입 구조상의 수직 전도성 구조물;

4) algan-20-60nm 두께 (20 % -30 % al), si 도핑 된 완충액;

5) 330μm ± 25um 두께의 2 인치 웨이퍼 위에 n 형 층을 형성한다.

6) 단일 또는 양면 폴리싱 된, 에피 - 레디, ra \u003c0.5㎛

7) xrd의 전형적인 값 :

웨이퍼 ID 기판 xrd (102) xrd (002) 두께

# 2153 x-70105033 (aln 포함) 298 167 679um

no.2. 기판상의 alx (ga) 1-xn

1) algan 층, 20-30 % al;

2) 층 두께 0.2-1㎛;

3) On-Axial을 가진 n 형 또는 반 절연 기판을 사용할 수 있습니다.

3 호. 사파이어 기판상의 c면 (0001)

1)은 층 두께 : 3-90um;

2) n 유형 또는 semi-insulation gan는 유효하다;

3) 전위 밀도 : 1 × 10-8cm-2

4) 단일 또는 이중면 광택, 에피 - 레디, ra \u003c0.5㎛

4 호. 사파이어 기판상의 alx (ga) 1-xn

사파이어에 2 \"간 반점

기판 : 사파이어

핵 생성 층 : aln

버퍼층 : gan (1800 nm)

spacer : aln (1nm)

쇼트 키 장벽 : algan (21 nm, 20 % al)

cap : gan (1.5nm)

no.5. 실리콘 (111) 기판상의 c면 (0001)

1) 층 두께 : 50nm-4um;

2) n 유형 또는 semi-insulation gan는 유효하다;

3) 단일 또는 양면 폴리싱 된, 에피 - 레디, ra \u003c0.5㎛

no.6. 실리콘 (111) 기판상의 alx (ga) 1-xn

1) algan 층, 20-30 % al;

2) 전형적인 도핑되지 않은 층 : 2μm 두께;

3) 시트 농도 : 1e13 / ㎤

no.7.epi gan on sic / 실리콘 / 사파이어 :

layer4. 50nm p-gan [2.1017 cm-3]

layer3. 600 nm hr-gan [1015 cm-3]

layer2. 2μm n-gan [2.1018 cm-3]

layer1. 버퍼층 (결정될)

layer0. 기판 (사파이어, si 또는 sic 일 수 있음) 뒷면은 광택 처리되지 않았습니다.

출처 : pam-xiamen

자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,

이메일을 보내주십시오. luna@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .