흑연 캡 핑층은 주입 후 어닐링 동안 패턴 화되고 선택적으로 주입 된 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 표면을 보호하기 위해 평가되었다. az-5214e 포토 레지스트를 750에서 850 ° C 범위의 온도에서 진공으로 스핀 및 베이킹하여 평면 및 메사 에칭 표면 상에 최대 2μm 피쳐의 연속 코팅을 형성했습니다. 수소화 된 중합체 - 유사 막의 나노 결정질 그래파이트 층으로의 완전한 전환은 라만 분광법에 의해 확인되었다. 흑연 캡 핑층은 손상되지 않은 상태로 유지되어 30 분 동안 최대 1650 ° C의 온도에서 아르곤 분위기에서 후속 어닐링하는 동안 평면 및 메사 에칭 된 표면 모두를 보호한다. 주입 영역에서 스텝 번칭 및 도펀트 외부 확산을 효과적으로 억제하면서 동시에 4h- 에픽 택셜 웨이퍼의 비 주입 된 ...
지난 10 년 동안, iii-n 화합물은 청색, 보라색 및 자외선 광전자 공학에서의 응용으로 많은 관심을 받았다. 장치 및 연구의 대부분은 질화물의 에피 택시에 대한 기판으로 사파이어를 사용합니다. 그러나, 이러한 에피 구조는 16 %의 격자 부정합에 의해 유도 된 매우 높은 전위 밀도를 포함한다 갠 사파이어. 우리 실험실에서는 10 kbar의 높은 수압에서 질소의 단결정을 성장시킵니다. 이들 결정은 매우 낮은 전위 밀도를 가지며, 보라색 레이저 다이오드의 구성에 성공적으로 사용된다. 이 작품은 고해상도 X 선 회절 법과 광 발광의 실험 데이터를 제공합니다. 이 작품은 세 부분으로 구성되어 있습니다 : (1) 간 기판과 간 / 사파이어 템플릿 비교; (ii)의 영향 알간 샘플의 휘게하는 층; (iii) in...
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