/

수색

수색

전망 :

  • gan on silicon

    자립형 독립 기판

    pam-xiamen은 uhb 주도 및 ld 용 프리 스탠딩 (gallium nitride) 기판 웨이퍼 용 제조 기술을 확립했습니다. (hydride vapor phase epitaxy, hvpe) 기술에 의해 성장한 우리의 gan 기판은 결함 밀도가 낮습니다.

    인기 태그 :

  • gan expitaxy

    웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼

    pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다.

    인기 태그 :

  • GaAs crystal

    가 스 (갈륨 비소) 웨이퍼

    pwam은 화합물 반도체 기판 인 갈륨 아세 나이드 결정체와 웨이퍼를 개발 및 제조합니다. 우리는 첨단 결정 성장 기술, 수직 구배 동결 (vgf) 및 가우스 웨이퍼 처리 기술을 사용하고 있으며, 결정 성장, 절단, 연삭에서 연마 가공 및 웨이퍼 청소 및 포장을위한 100 가지 클린 룸. 우리의 gaas 웨이퍼는 led, ld 및 microelectronics 응용 분야에 2 ~ 6 인치 주괴 / 웨이퍼를 포함합니다. 우리는 항상 현재 하위 상태의 품질을 개선하고 대형 기판을 개발하기 위해 노력하고 있습니다.

    인기 태그 :

먼저 마지막
[  총  1  페이지들]

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.
   
지금 채팅 문의하기 & nbsp;
우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.