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인듐 반도체 웨이퍼

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인듐 반도체 웨이퍼

2017-12-21

인듐 반도체 웨이퍼

inas 웨이퍼 기판 - 인듐 아세 나이드
수량 재료 오리 entation. 직경 두꺼운 에스 광택 비저항 유형 도펀트 노스 캐롤라이나 폭도 ility epd
(mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inas ( 110 ) 40 500 ssp /에이 (1-9) e17 해당 없음 해당 없음
1-100 inas ( 100 ) 50.8 450 ssp 해당 없음 1e17 / cc 해당 없음 \u0026 lt; 20000
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 ssp 해당 없음 n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 DSP 해당 없음 n / s 5e18-2e19 \u0026 gt; 6,000 \u0026 lt; 1e4
1-100 inas (111) b 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 n / s (1-3) e18 해당 없음 해당 없음
1-100 inas ( 100 ) 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 n / te 1e16 / cc 해당 없음 해당 없음
1-100 inas ( 100 ) 50.8 400 DSP 해당 없음 (1-9) e18 / cc 해당 없음 해당 없음
1-100 inas ( 100 ) 3x3x5 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 3e16 / cc 해당 없음 해당 없음
Inas 웨이퍼 공급 업체로서, 우리는 귀하의 참조를 위해 웨이퍼 목록을 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오.


노트:

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inp 웨이퍼 기판 - 인화 인듐
수량 물질 정위. 직경 에테르 두꺼운 에센스 광택 비저항 유형 도펀트 노스 캐롤라이나 mobi 불결 epd
(mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 inp ( 111 ) 25.4 300 자 해당 없음 해당 없음 해당 없음 \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ± 10 ssp 없음 엔/ (5-50) e15 없음 \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 111 ) 50.8 400 ± 10 ssp 없음 p / zn ~ 1e19 없음 \u0026 lt; 20000
1-100 inp ( 100 ) 50.8 400 ssp 없음 엔/ ~ 5e17 없음 없음
1-100 inp (111) a 50.8 해당 없음 해당 없음 해당 없음 p / zn ~ 5e18 없음 없음
1-100 inp (111) ± 0.5 ° 50.8 350 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 (1-10) e7 \u0026 gt; 2000 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp (100) / (111) 50.8 350-400 ssp 없음 (1-3) e18 없음 없음
1-100 inp ( 111 ) 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음
1-100 inp (111) a 50.8 500 ssp \u0026 gt; 1e7 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp (111) a 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음
1-100 inp (111) b 50.8 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 없음 없음 없음
1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 ssp 해당 없음 p / zn n / s 없음 없음 없음
1-100 inp ( 110 ) 50.8 400 ± 25 DSP 해당 없음 p / zn n / s 없음 없음 없음
1-100 inp (110) ± 0.5 50.8 400 ± 25 ssp 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp (100) ± 0.5 50.8 350 ± 25 ssp 해당 없음 p / zn 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp 해당 없음 50.8 500 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp (111) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음
1-100 inp (211) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음
1-100 inp (311) b 50.8 400 ± 25 해당 없음 \u0026 gt; 1e4 n / te 없음 없음 없음
1-100 inp ( 111 ) 50.8 해당 없음 ssp 해당 없음 (1-9) e18 없음 없음
1-100 inp 해당 없음 50.8 4000 ± 300 해당 없음 해당 없음 해당 없음 도망자가없는 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 해당 없음 n / s (1-9) e18 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 50.8 500 ± 25 ssp 해당 없음 n / s ~ 3e17 해당 없음 해당 없음
1-100 inp (100) / (111) 76.2 600 ssp 없음 (1-3) e18 없음 없음
1-100 inp (100) ± 0.5 76.2 600 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 \u0026 lt; 3e16 \u0026 gt; 3500 \u0026 lt; 3e4
1-100 inp ( 100 ) 76.2 400-600 DSP 없음 undoped / fe 없음 없음 없음
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp 없음 해당 없음 n / s 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 ssp 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 76.2 675 ± 25 DSP 없음 해당 없음 (3-6) e18 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 DSP 없음 해당 없음 2.00e + 18 이자형 해당 없음
1-100 inp ( 100 ) 76.2 600 ± 25 DSP 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp ( 111 ) 10x10 500 ± 25 ssp 없음 도망자가없는 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp 해당 없음 30-40 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 inp (100) 2 ° off +/- 0.1 degree t.n. (110) 50 ± 0.2 500 ± 20 ssp ≥1e7 시 / fe 해당 없음 ≥2000 ≤5000
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insb 웨이퍼 기판 - 인듐 안티몬화물
수량 자료 오리엔트 이온. 직경 두꺼운 네스 호 광택 비저항 타입 도펀트 노스 캐롤라이나 모빌 리트 와이 epd
(mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm3 cm2 / vs / cm2
1-100 insb ( 100 ) 50.8 500 ssp 해당 없음 n / undoped \u0026 lt; 2e14 해당 없음 해당 없음
1-100 insb ( 100 ) 50.8 500 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음 해당 없음
insb 웨이퍼 공급 업체로서 가격에 대한 자세한 정보가 필요하면 insb 웨이퍼 목록을 참조하십시오. 영업 팀에 문의하십시오.


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