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2017-12-21

czt 반도체 웨이퍼

cdz 기판 기판 - 카드뮴 아연 텔루 라이드
정량 와이 자료 정위. 크기 두꺼운 에센스 광택 비저항 유형 도펀트 fwhm
개 (mm) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; \u0026 emsp;
1-100 cdznte 해당 없음 10x10 1000 DSP \u0026 gt; 1e10 엔 @ 59.5kev \u0026 lt; 7 %
1-100 cdznte 해당 없음 10x10 2000 년 DSP \u0026 gt; 1e10 엔 @ 59.5kev \u0026 lt; 7 %
1-100 cdznte -111 10x10 500 ssp 해당 없음 피 해당 없음
1-100 cdznte (211) b 10x10 800 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 10x10 500 래핑 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 10x10 500 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 20x20 800 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 20x20 5000 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 20x20 2000 년 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 20x20 3000 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음
1-100 cdznte 해당 없음 3x3 2000 년 DSP 해당 없음 해당 없음 해당 없음

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