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웨이퍼 기반 에피 택셜 웨이퍼
pam-xiamen의 gan (질화 갈륨) 기반의 에피 택셜 웨이퍼는 초고 휘도의 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 애플리케이션 용입니다. -
웨이퍼 반 에피 택셜 웨이퍼
갈륨 질화물 (gan) hemts (높은 전자 이동성 트랜지스터)는 rf 전력 트랜지스터 기술의 차세대 기술입니다. 팸 - 샤먼은 현재 사파이어 또는 실리콘에 algan / gan hemt epi 웨이퍼를 제공하고 사파이어 템플릿에는 algan / gan을 제공합니다 . -
가 에다 에피 웨이퍼
우리는 mbe 또는 mocvd에 의해 성장되는 ga, al, in, as 및 p를 기반으로하는 다양한 유형의 epi 웨이퍼 iii-v 실리콘 도핑 n 형 반도체 물질을 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하는 사용자 지정 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 문의하시기 바랍니다. -
에피 택셜 실리콘 웨이퍼
실리콘 에피 택셜 웨이퍼 (에피 웨이퍼)는 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 단결정 실리콘 층입니다 (참고 : 고도로 도핑 된 단일 결정 실리콘 웨이퍼 위에 다결정 실리콘 층을 성장시킬 수 있지만, 벌크 Si 기판과 상부 에피 택 셜층 사이에 버퍼층 (예, 산화물 또는 폴리 -Si)인기 태그 : 에피 실리콘 웨이퍼 에피 택셜 실리콘 웨이퍼 에피 택셜 웨이퍼 제조업체 에피 웨이퍼 제조업체 실리콘 온 인슐레이터
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