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x-fab 및 exagan, 200mm 웨이퍼에 첫 번째 gan-on-silicon 장치를 성공적으로 생산

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x-fab 및 exagan, 200mm 웨이퍼에 첫 번째 gan-on-silicon 장치를 성공적으로 생산

2017-06-11

더 작고 효율적인 전기 변환기를 가능하게하는 갈륨 나이트 라이드 (gan) 반도체 기술의 신생 업체 인 x-fab 실리콘 파운드리와 엑 사간 (excagan)은 200mm gan의 고효율 고전압 전력 장치를 대량 생산할 수있는 능력을 입증했습니다 드레스덴, 독일에서 x-fab의 표준 CMOS 생산 설비를 사용하는 실리콘 웨이퍼 이 성과는 2015 년에 시작된 공동 개발 협약의 결과로, 더 작은 웨이퍼로는 달성 할 수없는 비용 / 성능 이점을 제공합니다.


(이미지 : x-fab 실리콘 파운드리)


Exagan 및 x-fab은 표준 제조 장비 및 공정 방법을 사용하면서 재료 스트레스, 결함 및 공정 통합과 관련된 많은 과제를 성공적으로 해결했습니다. 200mm 웨이퍼의 사용과 결합하면 gan-on-silicon 장치를 대량 생산하는 비용을 크게 낮출 수 있습니다. 실리콘 디바이스보다 더 큰 전력 통합을 가능하게함으로써, Gan 디바이스는 전기 컨버터의 비용을 절감하고 효율을 향상시켜 전기 자동차 충전소, 서버, 자동차 및 산업용 시스템을 포함한 애플리케이션에서의 채택을 가속화 할 수 있습니다.



(이미지 : 이교도)


새로운 gan-on-silicon 장치는 프랑스 그르노블에있는 이발사의 200mm 에피 제조 시설에서 제작 된 기판을 사용하여 제작되었습니다. 이 에피 웨이퍼는 외계인의 650 볼트 g-fet ™ 장치를 생산하기위한 물리적 및 전기적 사양은 물론 CMOS 제조 라인과의 호환성에 대한 엄격한 요구 사항을 충족합니다.


gan을 사용한 업계의 이전 연구는 실리콘 기판 상에 간막이 막이 쌓이는 문제로 인해 100 mm 및 150 mm 웨이퍼로 제한되었습니다. Exagan의 g-stack ™ 기술은 gan과 실리콘 층 사이의 응력을 완화시켜주는 gan 및 변형률 관리 층의 고유 스택을 증착함으로써 gan-on-silicon 소자를 200mm 기판에서보다 경제적으로 제조 할 수있게합니다. 결과 디바이스는 높은 항복 전압, 낮은 수직 누설 및 고온 동작을 나타내는 것으로 나타났다.


\"이것은 우리가 제품 개발 및 자격을 가속화함에 따라 우리 회사의 발전에서 중요한 이정표\"라고 이교도의 사장 겸 CEO 인 frédéric dupont는 말했습니다. \"이것은 에피 재료, x-fab의 웨이퍼 팹 공정과 우리의 디바이스 설계 능력의 결합 된 강점을 보여줍니다. 그것은 또한 물질에서 디바이스 및 어플리케이션에 이르기까지 전문성을 갖춘 수직적으로 통합 된 fab-lite 모델의 성공을 확인시켜줍니다. Gan Power 제품이 서버, 가전 제품 및 자동차 시장에서 폭 넓은 영향력을 발휘하고있는 것처럼 가장 경쟁력있는 200-mm 플랫폼에서 gan 기술 및 제품을 확립 할 수있는 완벽한시기입니다. \"


\"우리는 이천의 리더십 팀과 제품 성능 로드맵에 높은 확신을 가지고 있습니다.\"라고 x-fab의 CEO 인 rudi de winter은 말했습니다. x-fab은이 생산적인 파트너십을 통해 이교도 기술을 제조에 적용하고 신뢰할 수있는 공급망을 갖춘 전력 변환 시장을 제공하기 위해 자사의 자원과 전문성을 활용하고있다 \"고 말했다.


Exagan은 독일 뉘른베르크에서 열리는 16-18 일간의 pcim 유럽 무역 박람회에서 9-230 부스 내에 혁신적인 gan 기술과 g-fet 트랜지스터를 선보일 예정입니다.


키워드 : x-fab, exagan, 웨이퍼상의 ganos,


출처 : ledinside


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