본 논문에서는 Au / p-CdZnTe의 전기적 특성을 다양한 표면 처리, 특히 패시베이션 처리를 통해 조사 하였다. 패시베이션 후, a TeO2 산화물 층 두께 3.1 nm의 CdZnTe 표면은 XPS 분석으로 확인되었다.
한편, 포토 루미 네 슨스 (PL) 스펙트럼은 패시베이션 처리가 표면 트랩 상태 밀도를 최소화하고 Cd 공극의 재결합과 관련된 깊은 수준의 결함을 감소 시킨다는 것을 확인했다. 전류 - 전압 및 커패시턴스 - 전압 특성을 측정 하였다. 패시베이션 처리가 Au / p-CdZnTe 콘택의 장벽 높이를 증가시키고 누설 전류를 감소시킬 수 있음을 보여 주었다.
출처 : iopscience
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