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q : 490 w / mk를 초과하는 높은 열전도도를 갖는 실리콘 단결정 재료, 두께를 가진 웨이퍼 : 300-1000um의 반도체 소자 히트 싱크 제조를 제공 할 수 있습니까?

크리스탈 웨이퍼

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q : 490 w / mk를 초과하는 높은 열전도도를 갖는 실리콘 단결정 재료, 두께를 가진 웨이퍼 : 300-1000um의 반도체 소자 히트 싱크 제조를 제공 할 수 있습니까?

2017-12-26

q : 높은 열전도도를 가진 sic 단결정 재료를 제공 할 수 있습니까? 490 w / mk, 두께의 웨이퍼 : 300-1000um 반도체 소자 히트 싱크 제조?


a : 열전도율 \u0026 gt; 490 w / mk는 이론 단가의 이론 값이지만 일부 웨이퍼를 테스트했지만 열전도도는 450w / mk 미만으로 이론 값이 낮습니다.

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