샤먼 기반의 레이저 웨이퍼 성장 및 기타 관련 제품 및 서비스를위한 에피 서비스의 선도적 인 공급 업체 인 샤먼 파워 웨이 (Shi Maeng)는 2017 년에 3 \"크기의 새로운 가용성을 발표했다.이 신제품은 자연을 대표한다. pam-xiamen의 제품 라인에 추가되었습니다. 박사. shaka는 \"우리는 인터넷 광섬유 통신의 기본 능동 소자 (레이저 광원)에 대해 더 우수하고 신뢰할 수있는 많은 것을 개발하는 등 고객에게 양자 우물 레이저 구조를 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다. 우리의 레이저 다이오드 에피 택셜 구조는 탁월하다. 갈륨 아세 나이드 및 인듐 인화물 웨이퍼상의 양자 우물 레이저베이스, 양자 우물을 이용하는 레이저 및 이산 전자 모드는 모프 (move) 및 mbe 기술에 의해 제조되며 자외선에서 z 영역까지 다양한 파장에서 생성됩니다. 가장 짧은 파장 레이저는 갈륨 나이트 라이드 기반의 물질에 의존한다. 가장 긴 파장의 레이저는 양자 캐스케이드 레이저 설계에 의존한다. 양자 우물 레이저는 낮은 임계 전류 밀도, 우수한 온도 특성, 높은 변조 속도 및 높은 효율로 많은 주목을 받고있다. 파장 조절 능력 등이 향상되어 부울 성장 및 웨이퍼 공정이 개선됩니다. \" \"우리 고객들은 이제 사각 기판에 고급 트랜지스터를 개발할 때 기대되는 증가 된 디바이스 수율의 이점을 누릴 수 있습니다. 가우스 기반 레이저 웨이퍼 성장을위한 에피 서비스는 현재 진행중인 노력의 결과로 자연 스럽습니다. 현재 우리는 지속적으로보다 신뢰할 수있는 제작품.\"
팸족 의 개선 된가에 기반을 둔 레이저 웨이퍼 제품 라인은 강력한 기술, 네이티브 대학 및 실험실 센터의 지원을 통해 이익을 얻었습니다.
이제 다음과 같은 예를 보여줍니다.
808nm ingaasp / inp mqw 레이저 구조
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층 |
자료 |
엑스 |
y 변형률 허용 오차 |
pl |
두께 |
유형 |
수평 |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(음) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
가아 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
피 |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.05 |
피 |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
피 |
\u0026 emsp; |
|
5 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
4 |
가우스 (x) p |
0.86 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
798 |
0.013 |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
삼 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
엔 |
\u0026 emsp; |
|
1 |
가아 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.5 |
엔 |
\u0026 emsp; |
|
|
가면 기판 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
엔 |
\u0026 emsp; |
하문 powerway 첨단 재료 공동.
1990 년에 발견, 하문 powerway 고급 재료를 공동으로., LTD 팸족 ) 중국에서 화합물 반도체 소재의 선도적 인 제조 업체입니다. pam-xiamen은 고급 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 장치를 개발합니다. pam-xiamen의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게합니다.
양자 우물 구조
양자 우물 레이저는 소자의 활성 영역이 너무 좁아 양자 구속이 발생하는 레이저 다이오드이다. 레이저 다이오드는 (반도체와는 상당히 다른) 화합물 반도체 재료에 형성되어 효율적으로 빛을 방출 할 수 있습니다. 양자 우물 레이저에 의해 방출되는 빛의 파장은 구성되는 물질의 밴드 갭이 아니라 활성 영역의 폭에 의해 결정된다. [1] 이것은 특정한 반도체 재료를 사용하는 종래의 레이저 다이오드보다 훨씬 더 긴 파장이 양자 우물 레이저로부터 얻어 질 수 있다는 것을 의미한다. 양자 우물 레이저의 효율은 단계적 형태의 상태 밀도 기능으로 인해 종래의 레이저 다이오드보다 더 크다.
q \u0026 a
c : 우리는 780nm 및 808nm 파장 범위의 가우스 기반 에피 택셜 레이저 웨이퍼 공급 업체를 찾고 있습니다. 적합한 기판 치수는 2 \"또는 3\"(권장)입니다. 귀하의 회사가 그러한 레이저 웨이퍼 제조에 전문성을 가지고 있다면 알려주십시오. 그렇다면 당사가 고려할 일반 디자인을 제공할지 여부를 알려주십시오.
P : 귀하의 질문에 감사드립니다. 그렇습니다. 구조를 제안 할 수 있습니까?
c : 의견에 감사드립니다. 첨부 된 780nm 및 808nm 디자인을 찾으십시오. 디자인이 괜찮은지 알려 주시고 소재 품질이 레이저 등급인지 확인하기 위해 어떤 종류의 테스트를 수행 할 것인지 알려주십시오.
780nm 레이저 구조
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층 |
자료 |
엑스 |
y 변형률 허용 오차 |
pl |
두께 |
유형 |
수평 |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(음) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
가아 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
피 |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.05 |
피 |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
피 |
\u0026 emsp; |
|
5 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
4 |
가우스 (x) p |
0.77 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
770 |
\u0026 emsp; |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
삼 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.5 |
유 / |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
엔 |
\u0026 emsp; |
|
1 |
가아 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.5 |
엔 |
\u0026 emsp; |
|
|
가면 기판 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
엔 |
\u0026 emsp; |
808nm 레이저 구조
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층 |
자료 |
엑스 |
y 변형률 허용 오차 |
pl |
두께 |
유형 |
수평 |
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\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(음) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
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8 |
가아 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0.1 |
피 |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
이득 (x) p |
0.49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0.05 |
피 |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] in (y) p |
0.3 |
0.49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
피 |
\u0026 emsp; |
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