금속 유기 증기 상 에피 택시 (movape)에 의해 두 종류의 기판 상에 성장 된 상이한 인듐 함량을 갖는 고품질 n 형 알긴 합금의 에피 택시 최적화 연구가 수행되었다. 성장 속도, 인듐 함량 및 이들 모프 - 성장 된 AlIN 박막의 표면 형태에 대한 성장 압력 및 v / iii 몰비의 영향을 조사 하였다. 샘플의 표면 모폴로지는 주사 전자 현미경 및 원자력 현미경에 의해 특성화되었다. 성장 온도를 860 ℃에서 750 ℃로 변화시킴으로써 alinn 합금의 인듐 함량은 X 선 회절 (xrd) 측정에 의해 결정된 바와 같이 0.37 %에서 21.4 %로 증가되었다. 사파이어 기판과 독립형 gan 기판에 존재하는 gan 템플릿에 거의 격자가 일치하는 alinn을 얻기위한 성장 조건에 대한 최적화 연구가 수행되었고 결과는 비교 방법으로 분석되었다. 열전기 및 발광 다이오드 용 alinn 합금의 여러 응용 분야에 대해서도 논의한다.
하이라이트
template 템플리트와 독립 기판에 alinn 합금의 movpe 성장 최적화. ► 낮은 성장 압력과 높은 v / iii 비율은 개선 된 alinn 재료 품질을 이끌어 냈습니다. ► 성장 온도가 낮 으면 780 ° C로 높은 함유율로 이어져 al0.83in0.17n을 달성했습니다. 갠 기판의 사용은 재료 표면 거칠기와 결함을 감소시킵니다. ► led 및 열전기 응용 분야에 대한 alinn의 잠재력이 제시됩니다.
키워드
a3. 금속 유기 증기 상 에피 택시; b1. 질화물; b2. 반도체 성 iii-v 물질; b3. 발광 다이오드
출처 : sciencedirect
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