우리는 다음과 같이 inp 기판에 ingaasp / ingaas epi를 제공합니다.
1.structure : 1.55um ingaasp qw 레이저
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아니. |
층 |
도핑 |
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inp 기판 |
s 도핑 된, 2e18 / cm-3 |
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1 |
n-inp 버퍼 |
1.0㎛, 2e18 / cm-3 |
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2 |
1.15q-ingaasp 도파관 |
80nm, 도핑되지 않은 |
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삼 |
1.24q-ingaasp 도파관 |
70nm, 도핑되지 않은 |
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4 |
4 x ingaasp qw ( + 1 % ) |
5nm |
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5 |
1.24q-ingaasp 도파관 |
70nm, 도핑되지 않은 |
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6 |
1.15q-ingaasp 도파관 |
80nm, 도핑되지 않은 |
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7 |
inp 공간 계층 |
20nm, 도핑되지 않은 |
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8 |
inp |
100nm, 5e17 |
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9 |
inp |
1200 nm, 1.5e18 |
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10 |
잉태 |
100 nm, 2e19 |
2.specification :
1) 방법 : mocvd
2) 웨이퍼의 크기 : 2 \"
3) inp 기판에서의 ingaasp / ingaas 성장
4) 3-5 종류의 잉 가프 조성
5) ± 5nm의 pl 공차, pl std. dev. 웨이퍼를 가로 질러 \u003c3nm (웨이퍼 원주로부터 5mm의 배제 존을 가짐)
6) pl 목표 범위 1500nm.
7) 변형률 목표 -1.0 % ± 0.1 % (압축 변형률)
8) 아니오. 레이어 수 : 8-20
9) 전체 성장 두께 : 1.0 ~ 3.0um
10) 파라미터 : X 선 회절 측정 (두께, 변형), 포토 루미 네 슨스 스펙트럼 (pl, pl 균일 성), 캐리어 농도 프로파일 링
우리는 br 조사 된 ingaas 및 차가운 fe 이식 된 ingaasp에서 측정 된 photocarrier 수명을 비교합니다. 우리는 또한 시대에 2 광자 흡수 (tpa) 과정의 가능성을 보여줍니다 :가. 수명과 TPA가 측정되었다. 광섬유 기반의 1550 nm 시간 분해 차동 변속기 (Δt) 설정이 가능합니다. ingaas 기반 물질은 sub-picosecond lifetime으로 양의 Δt를 보인 반면, eras : gaas는 2 광자 흡수 과정과 일치하는 음의 Δt를 나타냅니다.
출처 : semiconductorwafers.net
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