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게르마늄 기판의 갈륨 비소 (gallium arsenide)를 기반으로하는 2 칩 레이저의 원거리 및 중간 IR 범위에서 차 주파수 방사선 생성

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게르마늄 기판의 갈륨 비소 (gallium arsenide)를 기반으로하는 2 칩 레이저의 원거리 및 중간 IR 범위에서 차 주파수 방사선 생성

2019-02-11

두 갈래 갈륨 갈륨 비소를 기반으로하는 2 칩 레이저에서 원적외선 및 중성자 범위의 차 주파수 복사를 효율적으로 생성 할 수있는 가능성 게르마늄 기판 고려. 근적외선 영역에서 1W를 방사하는 100μm 폭의 도파관이있는 레이저는 실온에서 5-50THz의 영역에서 차 주파수에서 약 40μW를 생성 할 수 있음이 보여진다.



출처 : IOPscience


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