우리는 tan / ta / si (100) 박막 시스템의 ta / si 계면에서 실리콘에 형성된 입방 대칭을 가진 새로운 실리콘 질화물을 발견했다. 실리콘 웨이퍼 500 또는 600 ° C에서 어닐링했다. 입방정 질화규소는 어닐링 공정 후에 역 피라미드 형태로 실리콘 결정으로 성장했다. 역 피라미드의 경계면은 실리콘 결정의 {111}면이었다. 실리콘 질화물과 실리콘 결정 사이의 배향 관계는 입방으로부터 입방이다. 새로운 실리콘 질화물의 격자 상수는 a = 0.5548 nm이고 실리콘 결정의 격자 상수보다 약 2.2 % 더 크다.
출처 : iopscience
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