에피 택셜 리프트 오프 공정은 갈륨 비소 기판으로부터 III-V 장치 층을 분리 할 수있게하며, 기판을 재사용함으로써 고비용의 III-V 장치를 피하기 위해 광범위하게 연구되어왔다. 종래의 에피 택셜 리프트 오프 공정은 기판을 에피 - 레디 (epi-ready) 상태로 복원하기 위해 여러 가지 후 처리 단계를 필요로한다. 여기서 우리는 포스트 에칭 찌꺼기의 양을 최소화하고 표면을 부드럽게 유지시켜 갈륨 비소 기판을 직접 재사용 할 수있는 에피 택셜 리프트 오프 방식을 제시합니다. 성공적인 직접 기판 재사용은 원판과 재사용 된 기판에서 성장한 태양 전지의 성능 비교에 의해 확인됩니다. 에피 택셜 리프트 오프 공정의 특징에 따라, 표면 장력 보조 에피 택셜 리프트 오프 (surface tension-assisted epitaxial lift-off) 라 불리는 고효율 기술이 개발되었다. 전체 웨이퍼 갈륨 비소 박막을 강성 기판과 플렉시블 기판에 전사하는 것 외에도, 발광 다이오드 및 금속 산화물 반도체 커패시터를 비롯하여 박막 활성층 위에 처음 제조 된 후 2 차 기판으로 전달되는 장치를 시연합니다.

그림 1 : 기존 및 신규 elo 공정으로 에피 택셜 리프트 오프 (elo) 공정 및 엘로 가우스 표면 형태의 개념.

(a) 일반적인 엘로 프로세스의 개략도. (b, c) 희토류 층 /에 천트 경계 부근의 화학 반응을 도식적으로 보여주고있다.

그림 2 : 엘로 공정 동안가 표면의 표면 형태

(a) 가아 기질 표면의 afm 이미지는 1 일 동안 농축 및 희석 된 hf 및 hcl로 침지된다. (b, c)는 각각 hf 및 hcl에 담긴 가우 스의 표면 화학의 개략도이다.

그림 3 : 새롭고 재사용 된 기판 위에 제조 된 단일 접합 가우스 태양 전지의 성능.

( a) 새로운 (녹색 심볼) 및 재사용 (파란색 심볼) 기판에서 성장하고 제조 된 gaas sj 태양 전지의 전류 밀도 대 전압 (j-v) 특성. 태양 전지 성능 매개 변수. (b)에 성장한 태양 전지의 eqe ...

그림 4 : 표면 장력을 이용한 엘로 공정.

(a) 표면 장력 보조 (sta) 공정의 개략도. (b) 결정 방향의 함수로서 hcl에서의 inalp의 에칭 속도. 최대 에칭 속도는에 위치한다. 모든 데이터는 맥시멈으로 표준화되었습니다 ...

그림 5 : 단단하고 유연한 기판으로 바이스 박막을 옮겼습니다.

(a) 강성 기판 (왼쪽, 4 \"si 웨이퍼, 중심, 가가 곡면, 오른쪽 유리, gaas on glass)과가요 성 기판 (왼쪽, 테이프상의 가프)에 전달 된가 상 박막의 시연 맞아, 유연한 가아 ...

그림 6 : 새로운 엘로 공정을 통한 전달 된 장치의 시연.

(a)는 2 인치 웨이퍼에 2 인치의 알카리를 전달하고 발광의 광학 이미지를 전송합니다. 스케일 바 5cm. (b)가요 성 테이프로 전이되기 전후의 n-gaas moscap의 커패시턴스 - 전압 (c-v) 특성. 인 세트 : opti ...

출처 : 자연

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