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epigan, 650V 전력 스위칭 및 RF 전력 어플리케이션을위한 200mm gan-on-si 에피 웨이퍼 공개

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epigan, 650V 전력 스위칭 및 RF 전력 어플리케이션을위한 200mm gan-on-si 에피 웨이퍼 공개

2017-06-19

에피 간 nv는 첨단 반도체 제조를위한 Ⅲ- 질화물 에피 택셜 물질 솔루션의 전세계 공급 업체로서, 650nm에서의 헴 (고 전자 이동 트랜지스터) 장치에 대한 산업 규격을 충족시키는 실리콘 에피 웨이퍼 제품군의 갈륨 나이트 라이드를 최신 제품으로 선보일 예정이다. 2017 년 5 월 16 일 ~ 18 일, 뉘른베르크에서 개최 된 유럽 2017 년, 인도 우물, 캘리포니아 주, 미국 (22-14, 2017)의 csmantech에서와 같이. pcim 유럽 2017에서 epigan은 홀 6, 부스 432에 전시 할 예정입니다.


(이미지 : 에피 건)


에피 간은 밀리미터 파 애플리케이션을위한 고성능 전력 스위칭 및 rf 전력 디바이스를위한 첨단 gan-on-si 및 gan-on-sic 소재의 선도적 인 기술 위치를 바탕으로 에피 간은 다음과 같은 디바이스 특성을위한 에피 웨이퍼 소재 품질을 정의하는 방법을 선도하고 있습니다. 전환 손실을 줄이고 신뢰성을 높입니다. 비용 효율적 gan-on-si 기술을 갖춘 epigan은 650v 전력 관리 및 RF 전력 시스템에서 경로 브레이크 기술 혁신을 가능하게했으며 규모의 경제를 위해 최대 200mm까지 확장 할 수 있습니다. 기반 idms 및 파운드리.


에피 간 (epigan)은이 제조상의 문제를 성공적으로 해결하고 성공적으로 hv650v 및 hvrf gan-on-si 에피 웨이퍼의 200mm 버전을 개발했습니다. epigan의 hv650v RF 전력 제품의 차별화 된 업적 중 하나는 hvrf 제품군의 전력 장치에 대한 동적 인 동작과 최저 rf 손실 (\u003c0.5db / mm ~ 50ghz)입니다.


중요한 경쟁 우위와 epigan의 si / epi 웨이퍼 기술의 핵심 개념은 in-situ sin capping 층입니다. 에피 건 (epigan)이 개척 한이 특수 기능은 탁월한 표면 패시베이션 및 소자 신뢰성을 제공하며 기존의 표준 Si-CMOS 생산 기반 시설에서 오염없는 처리를 가능하게합니다. in-situ 죄악 구조화는 또한 배리어 물질로서 순수한 알맹이 층의 사용을 가능하게하여 전도 손실을 낮추고 동일한 전류 정격을위한 더 작은 크기의 칩 설계를 가능하게한다.


\"gan 기술은 전력 스위칭이나 rf 전력 증폭에서 많은 응용 분야에 접어 들기 시작했습니다.\"라고 epigan cofounder 및 ceo dr marianne germain은 말합니다. \"우리는 세계적인 반도체 업계에 업계 최고의 200mm gan-on-si 에피 웨이퍼를 공급하며 특히 100ghz까지 가장 낮은 rf 손실을 보이는 gan-on-si 에피 웨이퍼를 개발 한 것을 자랑스럽게 생각합니다. 이것은 5g의 도입과 사물의 인터넷과 같은 무선 통신에 대한 증가하는 요구에 대한시기 적절한 대답입니다. \"


pcim europe에서 dr germain은 bodo의 전원 시스템 (17 일)에 의해 조직 된 fach forum의 고위급 패널 토론 \"gan - design, emc and measurement\"에 참여할 것입니다. Dr Markus behet, epigan cmo는 pcim 유럽 전시 참가자 포럼 (18 일)과 csmantech 전시 참가자 포럼 (23 일)에서 \"과대 선전에서 현실로 : gan / si - 현재 우리는 어디에 있습니까?\"라는 주제로 발표 할 예정입니다.


키워드 : epigan, gan-on-si, gan-on-sic, epi 웨이퍼


출처 : ledinside


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