하이라이트
• 다공성 간판 템플릿은 전기 화학적 및 광전 식 화학적 에칭 방식으로 준비되었다.
• ingan / gan 발광 다이오드 (led) 구조가 에칭 된 템플릿 위에 자란다.
• 자란 gan 필름 및 led는 변형률이 적고 표면 결함 밀도가 낮았다.
• 자란 LED 구조는 향상된 전자 발광 효율을 보였다.
다공성 간 템플릿은 전기 화학 에칭 (ece)과 뒷면 광전자 화학 에칭 (pece)을 결합한 다음, gan 필름과 ingan / gan 다중 양자 우물 (mqw) 발광 다이오드 (led) 구조의 과대 성장에 의해 준비되었다. 구조적, 발광 적 및 전기적 특성을 조사하고 에이스 피스 (ece-pece) 처리를하지 않은 템플레이트에서 동일한 조건 하에서 성장한 구조물의 특성과 비교 하였다. ece-pece 템플리트의 LED 구조의 과다 성장은 변형, 균열 및 미세 구멍을 감소시켜 내부 양자 효율 및 광 추출 효율을 증가 시켰습니다. 이 발광 개선은 자란 gan 필름에서 관찰되었지만, qws에서 압전 분극 필드의 억제로 인해 ingan / gan led 구조에 대해 더 두드러졌다.
키워드
전기 화학적 에칭; 광 전기 화학 에칭; 다공성 간; 발광 다이오드
출처 : sciencedirect
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