/ 뉴스 /

알게인프 에피 웨이퍼

뉴스

알게인프 에피 웨이퍼

2017-08-01

algainp는 고휘도 적색, 주황색, 녹색 및 황색의 발광 다이오드의 제조에 사용되어 이종 구조 방출 광을 형성한다. 그것은 또한 다이오드 레이저를 만드는 데 사용됩니다.


Algainp 층은 종종 갈륨 비소 또는 갈륨 인화물상의 헤테로 에피 텍시 (heteroepitaxy)에 의해 성장되어 양자 우물 구조를 형성한다.



칩에 algainp 웨이퍼 사양


Algainp는 칩을 위해 웨이퍼를 이끌었다.

item no.:pam-cayg1101


치수:

성장 기술 - mocvd

기판 재료 : 갈륨 비소

기판 전도 : n 형

직경 : 2 \"


● 칩 치수 :

1) 칩 크기 : 정면 크기 : 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)

뒷면 : 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)

2) 칩 두께 : 7mil (± 1mil)

3) 패드 크기 : 4mil (± 0.5mil)

4) 구조 : 1-1 참조


● 광전 특성

매개 변수

조건

분.

일반.

최대

단위

순방향 전압 ( vf1 )

if = 10μa

1.35

V

순방향 전압 ( vf2 )

if = 20ma

2.2

V

역 전압 ( lr )

vr = 10v

2

μa

우성  파장 ( λ d)

if = 20ma

565

575

nm

fwhm ( Δλ )

if = 20ma

10

nm


● 광도 :

암호

액정

ld

lf

lg

iv (mcd)

20-30

25-35

30-35

35-50

40-60

50-70

60-80


가우스 기판상의 변형 된 알긴 스트의 밴드 갭


이 튜토리얼에서 우리는 gaas 기판에서 변형 된 alxgayin1-x-yp의 밴드 갭을 연구하려고합니다.

재료 매개 변수는

iii-v 화합물 반도체 및 그 합금에 대한 밴드 파라미터

나는. vurgaftman, j.r. 메이어, 난. 램 모간

j. appl. phys. 89 (11), 5815 (2001)


이 4 원계의 개별 성분에 대한 밴드 갭에 대한 변형의 효과를 이해하기 위해, 먼저

1) alp

팽팽한  장력으로

~에 관하여  가아

2) 갭

팽팽한  장력으로

~에 관하여  가아

3) inp

팽팽한  압축 적으로

~에 관하여  가아

4) 알 엑스 조지아 1-x

팽팽한  장력으로

~에 관하여  가아

5)가 엑스 ...에서 1-x

팽팽한

~에 관하여  가아

6) 알 엑스 ...에서 1-x

팽팽한

~에 관하여  가아

7) 알 0.4 조지아 0.6

팽팽한  장력으로

~에 관하여  가아

8) GA 0.4 ...에서 0.6

팽팽한  압축 적으로

~에 관하여  가아

9) 알 0.4 ...에서 0.6

팽팽한  압축 적으로

~에 관하여  가아


각 재료 층은 시뮬레이션에서 길이가 10nm이다.

재료 층 4), 5) 및 6)은 합금 함량을 선형 적으로 변화시킨다 :


4) 알 엑스 조지아 1-x 피  x = 0.0 내지 x = 1.0에서 10 nm 내지 20 nm

5)가 엑스 ...에서 1-x 피    x = 0.0 내지 x = 1.0에서 30 nm 내지 40 nm

6) 알 엑스 ...에서 1-x 피  x = 1.0에서 x = 0.0까지 50nm에서 60nm까지


알게인 굴절률


출처 : pam-xiamen


자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net ,

에스 이메일을 보내주세요. luna@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .

문의하기

우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.
   
지금 채팅 문의하기 & nbsp;
우리 제품에 대한 견적이나 더 많은 정보를 원하신다면, 우리에게 메시지를 남겨 주시고되도록 빨리 회신 해주십시오.