전기적으로 펌핑 된 양자점 마이크로 링 레이저의 개략도. 신용 : 전자 컴퓨터 공학부, hkust 수십 년 전 무어의 법칙은 고밀도 집적 회로의 트랜지스터 수가 약 2 년마다 두 배로 증가 할 것이라고 예측했다. 이 예측은 지난 수십 년 동안 옳았다는 것이 입증되었고, 작고 효율적인 반도체 장치를 추구하는 것이 기술 혁신의 원동력이되었습니다. 데이터 통신 및 떠오르는 분야의 응용을 위해 실리콘 플랫폼에 광 부품의 소형화 및 대규모 통합에 대한 요구가 지속적으로 증가하면서 홍콩의 과학 기술 대학과 캘리포니아 대학의 산타 바바라, 최근 연구에서 산업 표준 (001) 실리콘 기판 위에 에피 택셜 성장 된 기록 소형 마이크로 펌프 레이저를 성공적으로 시연했다. 5 μm의 반경을 가진 마이크로 레이저에 대해 근적외선 (1.3 μm)에서 방출되는 0.6 ma의 submillamp threshold가 달성되었다. 임계 값 및 발자국은 이전에보고 된 레이저 에피 택셜 성장 된 레이저보다 작다. 그들의 발견은 8 월에 권위있는 저널 optica에 발표되었습니다. \"우리는 낮은 전력 소비와 높은 온도 안정성을 지닌 업계 표준 (001) 실리콘으로 직접 성장 된 가장 작은 전류 주입 레이저를 시연했다\"고 kei may lang, fang 교수의 전자 및 전기 공학과 교수가 말했다. hkust에서 컴퓨터 공학. \"Si에서 직접 성장 된 고성능 마이크론 크기의 레이저의 실현은 고밀도 집적도 및 저비용의 온칩 실리콘 광원처럼 웨이퍼 본딩 기술에 대한 대안으로 직접 iii-v / si 에피 택시를 활용하는 주요 단계입니다 전력 소비.\" 두 그룹은 협력 해 왔으며 이전에 실온에서 작동하는 연속파 (cw) 광학 펌핑 마이크로 레이저를 개발하여 게르마늄 버퍼층 또는 기판 미스 커트가없는 실리콘상에서 에피 택셜 성장시켰다. 이번에 그들은 실리콘에 에피 택셜 성장 된 기록 소형 전기 펌핑 레이저를 시연했다. \"마이크로 레이저의 전기적 주입은 훨씬 더 어렵고 힘든 작업입니다. 첫째, 전극의 금속 화는 마이크로 크기의 캐비티에 의해 제한되어 디바이스 저항과 열 임피던스를 증가시킬 수 있습니다. 둘째, 위스퍼 링 갤러리 모드 (wgm)는 광 손실을 증가시킬 수있는 프로세스 불완전성에 민감합니다. \"라고 ucsb의 광전자 연구 그룹의 박사후 연구원이자 박사후 연구원 인 yating wan은 말했습니다. \"유망한 통합 플랫폼 인 실리콘 포토닉스는 용량을 획기적으로 개선하는 온칩 레이저 소스를 필요로하면서 대량 생산을위한 비용 효율적인 방법으로 크기 및 전력 소모를 줄입니다. si에서 직접 성장 된 고성능 마이크론 크기의 레이저의 실현은 웨이퍼 본딩 기술에 대한 대안으로 직접 iii-v / si 에피 택시의 활용을위한 주요 단계를 의미합니다. \"라고 John Photowics의 부회장 인 John Bowers는 말했습니다. . 출처 : phys 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 에스 이메일을 보내주세요. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com ....
나노 사진은 전체 실리콘 웨이퍼 표면 지형의 일부이며 현재 칩 제조 공정 (cmp와 같은)에서 수율에 영향을 줄 수 있습니다. 레이저 삼각 측량과 고정밀 스캐닝 단계를 결합한 기술은 이제 전체 웨이퍼 표면에서 나노 미터 범위의 편차 편차를 검출 할 수 있습니다. 또한, 원시 높이 데이터 (예를 들어, 전력 스펙트럼 밀도 계산)의 스펙트럼 분석을 적용하여 넓은 범위의 공간 파장에 대한 최첨단 연마 된 웨이퍼의 나노 사진을 정량화한다. 키워드 : 물결 모양, 표면 검사, 표면 조도, 형상 측정, psd, 출처 : sciencedirect 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .
샤먼 powerway 첨단 재료 공동. 주식 회사, 선도적 인 공급 업체 inalas 및 기타 관련 제품 및 서비스는 2017 년 양산에 들어갔습니다.이 신제품은 pam-xiamen의 제품 라인에 자연스럽게 추가되었습니다. 박사. 샤카는 \"우리는 인알 라스 광대역 양자 캐스케이드 (quantum cascade) 레이저에 대해보다 우수하고 신뢰할 수있는 많은 제품을 개발하여 고객에게 제공 할 수 있습니다. 우리의 인알 라스 층은 우수한 특성을 가지며, 알루미늄 인듐 아세 나이드가 사용된다. 은 변성 반 (mamorphic hemt) 트랜지스터의 버퍼층으로서, 여기서는 가우스 기판과게나 스 채널 사이의 격자 상수 차이를 조정하는 역할을한다. 양자 우물처럼 작용하는 인듐 갈륨 비소 (indium gallium arsenide)로 대체 층을 형성하는 데에도 사용될 수있다. 이들 구조는 예를 들어, 광대역 양자 캐스케이드 레이저. 가용성은 부울 성장 및 웨이퍼 프로세스를 개선합니다. \"그리고\"우리 고객들은 이제 사각형 기판 상에 고급 트랜지스터를 개발할 때 예상되는 디바이스 수율의 이점을 활용할 수 있습니다. 우리의 인알 라스 층은 우리의 지속적인 노력의 산물이며, 현재 우리는보다 신뢰할 수있는 제품을 지속적으로 개발하기 위해 노력하고 있습니다. \" pam-xiamen 님이 향상되었습니다. 인알 라스 제품 라인은 강력한 기술의 혜택을 입었습니다. 네이티브 대학 및 실험실 센터의 지원. 이제 다음과 같은 예를 보여줍니다. n ++ ingaas (~ 30nm) (5x10 ^ 19cm ^ -3, inp (undoped) (~ 3 ~ 5nm), in0.7ga0.3as (도핑되지 않음) (3nm), inas (undoped) (2nm) in0.53ga0.47as (도핑되지 않은) (5nm), in0.52al0.48as (도핑되지 않음) (~ 15nm), inp (~ 5nm), sio2 (~ 100nm), si (웨이퍼). 하문 powerway 첨단 재료 공동. xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) 중국에서 화합물 반도체 소재의 선도적 인 제조 업체입니다. pam-xiamen은 첨단 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 소자를 개발합니다. pam-xiamen의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게합니다. 약 인알 라스 인듐 알루미늄 비화물, 또는 인듐 알루미늄 비화물 또는 알루미늄 (alxin1-xas)은 gainas와 거의 동일한 격자 상수를 갖는 반도체 재료이지만, 더 큰 밴드 갭을 갖는다. 위의 공식에서 x는 0과 1 사이의 숫자입니다. 이것은 inas와 alas 사이의 임의의 합금을 나타냅니다. 공식 alinas는 특정 비율보다는 위의 약식으로 간주되어야합니다. 은 변성 반 (mamorphic hemt) 트랜지스터의 버퍼층으로서, 여기서는 가우스 기판과 게나스 채널 사이의 격자 상수 차이를 조정하는 역할을한다. 양자 우물처럼 작용하는 인듐 갈륨 비소 (indium gallium arsenide)로 대체 층을 형성하는 데에도 사용될 수있다. 이들 구조는 예를 들어, 광대역 양자 캐스케이드 레이저. q \u0026 a q : III-V는 어떻습니까? 나는 아직도 관심이있다. si 기판과 iii-v 활성층 사이에 버퍼층을 도입 할 수 있습니까? a : 실리콘 에피 택셜 핵 생성이 필요합니다. 일반적으로 첫 번째 저온 핵 형성 inp 층이 필요합니다. 또는 alinas 레이어, 공식 성장 구조 레이어 후 고온 어닐링. 핵 생성은 매우 얇은 전이 층이 될 수있다. 에이 두께는 10nm ~ 20nm이다. 핵 전이의 성공에도 불구하고, 여전히 스트레스를 풀 수 없으며, 시험을해야하며, 성장 후 자료는 여전히 큰 스트레스입니다! q : 세 번째 구조는 필요한 것과 약간 다릅니다. 친절하게 델타 도핑을 확인하십시오. 인알 라스 in0.52al0.48as입니다. 델타 도핑은 당신이 진술 한 것과 비슷해야합니다. 우리는 그것을 시험 할 장비가 없지만 운송업자의 집중력에 도달 할 수 있습니다. 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 에스 이메일을 보내주세요. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com ....
anna hiszpanski의 Lawrence livermore 국립 연구소 팀 단장은 표면을 계층 적 마이크로 및 나노 미터 길이 구조로 엔지니어링함으로써 태양 전지, 안경 및 카메라와 같은 광학 장치의 반사 방지 코팅에 대한 대안에 대한 지침을 고안했습니다. 크레딧 : lawrence livermore national laboratory 태양 전지의 경우 표면이 태양 광선을 반사하지 않을수록 더 많은 에너지가 생성 될 수 있습니다. 반사율 문제에 대한 일반적인 해결 방법은 반사 방지 코팅이지만 응용 분야에 따라 최적의 해결책이 아닐 수도 있습니다. Lawrence livermore 국립 연구소 (llnl) 연구원은 태양 전지, 안경 및 카메라와 같은 광학 장치의 반사 방지 코팅 대신 실리콘 광학의 반사율을 공학적으로 1 %까지 줄일 수 있다는 지침을 제시했습니다 그들의 표면은 계층적인 마이크로 및 나노 미터 길이 구조의 층으로되어있다. 화학 공학 안나 hiszpanski와 uc 산타 크루즈 대학원생 인 diaz leon이 이끄는 한 연구자 팀은 저널 첨단 광학 재료에 의해 발표 된 최근 논문의 매개 변수를 설명했다. 이 기술은 나방의 눈에서 발견되는 계층 적 구조를 모방하여 어둠 속에서 더 많은 빛을 흡수하고 더 잘 탐색 할 수 있도록 자연에 뿌리를두고 있습니다. 실험을 수행하고 논문의 공동 저자이기도 한 hiszpanski는 \"이것은 다른 반사 방지 접근법입니다. \"이러한 계층 적 반사 방지 구조에 대한 설계 규칙은이 크기 척도에 명시 적으로 배치되지 않았습니다. 나는 그들이 다른 사람들이 그들의 어플리케이션에 필요한 반사 방지 성질을 가진 최적의 구조물을 더 신속하게 설계하고 제작할 수있게 해줄 것으로 기대한다. \" 컴퓨터 시뮬레이션을 수행 한 diaz leon에 따르면, 표면에서의 반사는 광학 분야의 주요 도전 과제가 될 수 있습니다. 일반적으로 단층 반사 방지 코팅은 상쇄 간섭을 사용하여 좁은 대역의 파장 및 시야각에 대한 반사를 없애기 위해 사용됩니다. 그러나 여러 파장과 시야각에 대한 감소 된 반사율이 요구 될 때, 다른 접근법이 필요하다고 그는 말했다. 이 연구에서 연구진은 실리콘의 평균 반구형 또는 전체 반사율이 38 %에 이르는 것으로 나타 났지만 태양 전지에서 일반적으로 사용되는 것과 같이 마이크로 스케일 피라미드 구조 만 실리콘으로 설계된다면 반사율은 약 11 %로 떨어집니다. 그러나 더 큰 구조 위에 마이크로 및 나노 크기의 배열을 쌓아서 입사각에 관계없이 총 반사율을 1 %에서 2 % 정도로 줄일 수 있습니다. 태양 전지가 모든 각도에서 더 많은 빛을 모으기 위해 짜임새를 낼 수 있다면 하늘에서 태양의 위치를 추적 할 필요가 없으며 잠재적으로 에너지를 전환하는 데 더 효율적일 수 있다고 hiszpanski는 말했다. 안경에 사용되는 경우 계층 적 구조는 현재의 반사 방지 유리 코팅에 녹색 또는 자주색 효과를 내지 않고 반사율과 섬광을 제거 할 수 있습니다. 카메라는 낮은 조명에서 사진을 찍을 수 있습니다. 이 기술은 또한 망원경과 회절 광학으로 변환 될 수 있습니다. diaz leon은 나방의 눈 구조의 행동을 시뮬레이션하기 위해 웨이브 옵틱 패키지를 사용하여 계층 적 방식으로 결합했습니다. 연구진은 구조의 반복성 (재발)이 반사 방지 특성을 변형 시킴을 알았 기 때문에 유사한 크기의 구조물을 시뮬레이션했지만이 효과를 더 잘 이해하기 위해 비 주기성을 도입했습니다. \"이러한 시뮬레이션을 통해 우리는 반사 방지 특성의 특정 필요성을 위해 다양한 나방의 눈 구조를 계층 적으로 결합하는 일련의 설계 규칙을 제안 할 수있었습니다.\"라고 diaz Leon은 말했습니다. \"우리는 크기가 다른 나방 - 눈 구조를 결합하여 작동하는 것으로 예상되는 파장 영역에서의 반사를 줄일 수있을뿐 아니라 (주어진 미리 정의 된 규칙에 따라) 특정 파장에서의 반사를 더욱 줄일 수 있다는 것을 발견했습니다 범위.\" 구체적으로, 태양 스펙트럼을 표적으로 사용함으로써 다이아 자 레온은 정기적 인 마이크로 스케일 피라미드 구조가 폴리싱 된 표면에서 발견되는 거울과 같은 반사율을 크게 감소시키는 반면 작은 나노 미터 크기의 구조는 확산 반사율을 감소 시킨다는 사실을 알게되었다 이는 주 정반사 반사각과 다른 각도에서 오는 반사로 구성됩니다. 다양한 크기의 두 개의 서로 다른 구조를 결합함으로써 연구자는 반사 및 확산 반사를 선택적으로 최소화 할 수있었습니다. 또한,주기적인 구조와 비주기적인 구조의 전반적인 반사율은 유사하지만 비 주기성은 정반사 반사율을 감소시키고 확산 반사율을 증가시켜 최종 적용에 따라 특정 (정반사 또는 확산) 반사율을 최소화하려는 경우 유용합니다. hiszpanski는 모든 마스크리스 (mask-less) 및 습식 식각 (chemical etching) 기술을 사용하여 샘플을 제조하여 공정을 넓은 영역으로 쉽게 확장 할 수있게했습니다. 제조 방법은 실리콘에 고유 한 것이지만 연구자들은이를 플라스틱과 유리로 옮기려고합니다. 그들은 태양 전지를 만들기 위해 uc berkeley와 협력하고 효율을 향상 시키며 유리에서 잠재적 인 용도로 유연한 기판으로이 방법을 번역 할 계획이다. 출처 : phys 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com ....
샤먼 powerway 첨단 재료 공동. 주식 회사, 선도적 인 공급 업체 알간 기타 관련 제품 및 서비스는 2017 년 양산에 들어갔습니다.이 신제품은 pam-xiamen의 제품 라인에 자연스럽게 추가되었습니다. 박사. 샤카는 \"우리는 알간 청색에서 자외선 영역에서 작동하는 발광 다이오드에 대해 더 우수하고 신뢰할 수있는 제품을 개발하는 많은 사람들을 포함하여 고객에게 중요한 자료입니다. 우리의 알간 물질이 우수한 특성을 가지면, alxga1-xn의 밴드 갭은 3.4ev (xal = 0)에서 6.2ev (xal = 1)까지 조정될 수있다. 청색 반도체 레이저 및 자외선 방사 검출기 및 algan / gan 고 전자 이동도 트랜지스터에도 사용됩니다. 가용성은 부울 성장 및 웨이퍼 프로세스를 개선합니다. \"그리고\"우리 고객들은 이제 사각형 기판 상에 고급 트랜지스터를 개발할 때 예상되는 디바이스 수율의 이점을 활용할 수 있습니다. 우리의 알간 재료는 우리의 지속적인 노력의 산물이며, 현재 우리는보다 신뢰할 수있는 제품을 지속적으로 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다. \" pam-xiamen 님이 향상되었습니다. 알간 제품 라인은 강력한 기술, 네이티브 대학 및 실험실 센터의 지원으로 혜택을 얻었습니다. 이제 다음과 같은 예를 보여줍니다. 0) 기판 : h-rsi (111) 1) 버퍼 : 알간 - 1,5 μm 2) 채널 : gan - 150 nm 3) barrier : aln - 6 nm 4) 동일계 (in-situ) sin -3 nm 5) 죄악 - 50 nm 하문 powerway 첨단 재료 공동. xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) 중국에서 화합물 반도체 소재의 선도적 인 제조 업체입니다. pam-xiamen은 첨단 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 소자를 개발합니다. pam-xiamen의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게합니다. 약 알간 알루미늄 갈륨 질화물 ( 알간) 반도체 재료이다. 그것은 질화 알루미늄과 질화 갈륨의 합금이다. alxga1-xn의 밴드 갭은 3.4ev (xal = 0)에서 6.2ev (xal = 1)까지 맞출 수있다. 알간 250nm 이하의 파장이 달성되는 청색 내지 자외선 영역에서 작동하는 발광 다이오드를 제조하는데 사용된다. 청색 반도체 레이저에도 사용됩니다. 자외선 방사 탐지기 및 algan / gan 고 전자 이동성 트랜지스터에도 사용됩니다. 알간 질화 갈륨 또는 질화 알루미늄과 함께 종종 사용되어 헤테로 접합을 형성한다. 알간 층들은 또한 사파이어상에서 성장 될 수있다. 합금 alxga1-xn의 잠재적 인 이용 영역은 많지만 자외선 검출기 응용 분야는 많지 않습니다. 여기에는 화염 및 열 감지기, 미사일 기둥 감지 및 지구에서 위성과의 안전한 통신이 포함됩니다. alxga1-xn 밴드 갭은 각 고유 한 적용에 적합하도록 365nm에서 200nm의 밴드 에지 파장 범위에 해당하는 4.3ev (xal = 0)에서 6.2ev (xal = 1)까지 조정될 수 있습니다. 약 300nm 파장 이하의 태양 복사는 대기 중 오존에 의해 흡수됩니다. 따라서 큰 태양 복사 배경이있는 응용 분야의 경우 300nm 또는 그 이상의 파장에서 스펙트럼 응답을 나타내지 않는 태양 맹검 감지기가 매우 바람직합니다. 태양 블라인드 검출기의 경우 30 % 이상의 조성이 필요하다. q \u0026 a c : 아래처럼 epi-wafers를 제안 할 수 있습니까? 0) 기판 : h-rsi (111) 1) 버퍼 : 알간 - 1,5 μm 2) 채널 : gan - 150 nm 3) barrier : aln - 6 nm 4) 인 시츄 (in-situ) sin -3 nm 5) 죄악 - 50 nm p : 예 1) 버퍼 : 알간 - 1,5 μm - 무엇이 %입니까? c : 8 % 3) barrier : aln - 6 nm - 전기적 특성에 대한 요구 사항이 있다면? 기음: 전기적 특성 : 이동도 - 1200-1400 cm ^ 2 * v ^ -1 * s ^ -1; 농도 - (2-2.2) * 10 ^ 13 cm-1; 층 저항 - 235-240 옴 / sqw p : 우리는 2e13-2.2e13 범위의 농도에 도달해야합니까? 또는 더 낮은 농도를 받아 들일 수 있습니까? 확인해주세요 C : 네, 우리는이 농도 범위 (상온 홀 측정)를 원합니다. 당신이 원하는 농도를 제안 할 수 있습니까? p : \"층 저항 - 235-240 ohm / sqw\"라고 말했습니까? 전체 웨이퍼의 면저항을 의미합니까? c : 예, 전체 dhfet 구조에서 시트 저항을 의미합니다 *. p : 농도가 (2-2.2) e13에 도달 할 수 없다면, 우리가 할 수있는 것은 1e13이다. 시트 저항에 대해서도, 우리는 보통 240 이하에 도달 할 수 있지만, 보증금 후에는 \u0026 lt; 240을 보장 할 수 없다. 핵심어 : algan, aluminum gallium nitride 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com ....
veeco 장비는 allos 반도체 (allos)를 사용하여 청색 / 녹색 마이크로 렌즈 생산을위한 200mm gan-on-si 웨이퍼를 시연하는 전략적 계획을 완료했습니다. veeco는 allos와 팀을 이루어 독점적 인 에피 택시 기술을 propel singlewafer mocvd 시스템에 전송하여 기존 실리콘 생산 라인에서 마이크로 주도 생산을 가능하게했습니다. (이미지 : flickr cc2.0을 통해 마이크로 주도 adafruit 산업) \"추진기 원자로와 함께, 우리는 200 밀리미터 실리콘 생산 라인에서 마이크로 - 주도 디바이스를 처리하기위한 모든 요구 사항을 충족시키는 고 항복 에폭시 에피 택시가 가능한 mocvd 기술을 보유하고있다\"고 Allos 반도체의 CEO 인 burkhard slischka는 말했다. \"한 달 안에 우리는 propel에 우리의 기술을 확립했으며 30 마이크로 미터 미만의 활, 높은 결정 품질, 우수한 두께 균일 성 및 1 나노 미터 미만의 파장 균일 성을 갖는 무 균열, 멜트백이없는 웨이퍼를 달성했습니다. veeco와 함께 allos는이 기술을 마이크로 주도형 생태계에보다 널리 사용할 수 있기를 기대하고 있습니다. \" 마이크로 - 주도 디스플레이 기술은 서브 픽셀을 형성하기 위해 디스플레이 백플레인으로 전송되는 \u003c30 × 30 평방 마이크론의 적색, 녹색, 청색 (rgb) 무기 리드로 구성된다. 이러한 고효율 LED의 직접 방출은 모바일 디스플레이, TV 및 웨어러블에 뛰어난 밝기와 대비를 제공하면서 oled 및 lcd에 비해 전력 소비를 낮 춥니 다. 마이크로 - 리드의 제조는 디스플레이 수율 및 비용 목표를 충족시키기 위해 고품질의 균일 한 에피 택셜 웨이퍼를 필요로한다. \"경쟁하는 mocvd 플랫폼과 달리 propel은 최첨단 균일 성을 제공하며 veeco의 터보 디스크 기술이 제공하는 광범위한 프로세스 윈도우의 결과로 우수한 필름 품질을 동시에 달성합니다.\"라고 peo hansson, Ph.D. 수석 부사장 겸 총책임자 veeco mocvd 운영 중. \"veeco의 선도적 인 전문 기술과 all-in-silicon 에피 웨이퍼 기술을 결합함으로써 고객은 새로운 시장에서 새로운 애플리케이션을위한 비용 효율적인 마이크로 리드를 개발할 수있게되었습니다.\" 키워드 : mocvd, veeco, micro led, allos, gan-on-si 웨이퍼, 출처 : ledinside 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com .
xiamen powerway advanced material co., ltd., gan 및 기타 관련 제품 및 서비스의 선도적 인 공급 업체는 2017 년에 양산중인 2 인치 크기의 새로운 가용성을 발표했습니다.이 신제품은 pam-xiamen의 제품 라인에 자연스럽게 추가되었습니다. 박사. shaka는 \"고효율 및 고전압 작동으로 인해 다양한 무선 인프라 애플리케이션에서 즉각적인 사용을 발견 한 Gan hemts에 대해 더 우수하고 신뢰할 수있는 제품을 개발하는 많은 사람들을 포함하여 고객에게 gan 기판을 제공하게 된 것을 기쁘게 생각합니다. 더 짧은 게이트 길이를 가진 2 세대 기술은보다 높은 주파수의 텔레콤 및 항공 우주 어플리케이션을 처리 할 것입니다. 우리의 실리콘 기판은 우수한 특성을 지니고 있으며 열 용량과 열전도도가 매우 높고 기계적으로 안정한 넓은 밴드 갭 반도체 재료입니다. 그 순수한 형태로 균열에 저항하고 격자 상수의 불일치에도 불구하고 사파이어 또는 실리콘 카바이드 위에 박막으로 증착 될 수 있습니다. gan은 규소 (Si) 또는 산소를 n 형으로 그리고 마그네슘 (mg)을 p 형으로 도핑 할 수있다. 그러나 si와 mg 원자는 gan 결정이 성장하는 방식을 변화시켜 인장 응력을 도입하고 부서 지도록 만든다. 질화 갈륨 화합물은 또한 평방 센티미터 당 약 1 억 내지 100 억 결함 정도의 높은 전위 밀도를 갖는 경향이있다. 가용성은 부울 성장 및 웨이퍼 프로세스를 개선합니다. \"그리고\"우리 고객들은 이제 사각형 기판 상에 고급 트랜지스터를 개발할 때 예상되는 디바이스 수율의 이점을 활용할 수 있습니다. 우리의 갠 기판은 우리의 지속적인 노력의 결과물이며, 현재 우리는보다 신뢰할 수있는 제품을 지속적으로 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다. \" pam-xiamen의 향상된 gan 제품 라인은 강력한 기술, 고유 대학교 및 실험실 센터의 지원을 통해 혜택을 얻었습니다. 이제 다음과 같은 예를 보여줍니다. ns, undoped : 저항률 \u003c0.5 ohm.cm, 캐리어 농도 : (1-5) e17 n 형, Si 도핑 : 비저항 \u003c0.5 ohm.cm, 캐리어 농도 : (1-3) e18, 하문 powerway 첨단 재료 공동. xiamen powerway advanced material co., ltd (pam-xiamen) 중국에서 화합물 반도체 소재의 선도적 인 제조 업체입니다. pam-xiamen은 첨단 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 설계 기판 및 반도체 소자를 개발합니다. pam-xiamen의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게합니다. 약에 대해서 질화 갈륨 (gan)은 1990 년대 이후 발광 다이오드에서 일반적으로 사용되는 바이너리 III / V 직접 밴드 갭 반도체입니다. 그 화합물은 우르 자이 트 결정 구조를 갖는 매우 단단한 물질이다. 3.4 ev의 넓은 밴드 갭은 광전자, 고전력 및 고주파 장치의 응용 분야에 특별한 특성을 부여합니다. 예를 들어, gan은 비선형 광학 주파수 배가를 사용하지 않고 보라색 (405 nm) 레이저 다이오드를 가능하게하는 기판입니다. 이온화 방사선에 대한 감도가 낮기 때문에 (다른 그룹 Ⅲ 질화물과 같이) 인공위성을위한 태양 전지 어레이에 적합한 재료가된다. 군대 및 우주 어플리케이션은 디바이스가 방사선 환경에서 안정성을 보임에 따라 이익을 얻을 수있다. Gaan 트랜지스터는 훨씬 높은 온도에서 작동 할 수 있고 갈륨 비소 (가) 트랜지스터보다 훨씬 높은 전압에서 작동 할 수 있기 때문에 마이크로 웨이브 주파수에서 이상적인 전력 증폭기를 만든다. 또한, gan은 thz 장치에 유망한 특성을 제공합니다 q \u0026 a q : 0.5 ohmcm 이하의 저 저항률을 가진 n 형 fs gan 웨이퍼는 기본적으로 n 형입니까? 또는 이들 웨이퍼는 이미 도핑 된 웨이퍼입니까? 그 낮은 저항력으로 웨이퍼의 뒷면에 양호한 옴 접촉을 실현할 수 있습니다 (알고 있다면 최상의 금속 조합에 대한 조언을 구하십시오).이 경우에는 잘 접지되어야합니다. a : 상황은 다음과 같습니다. fs gan 기판, n 형, 도핑되지 않음 : 저항률 \u003c0.5 ohm.cm, 담체 농도 : (1-5) e17, 배달 시간 : 20-30days fsgan 기판, n 형, Si 도핑 : 비저항 \u003c0.5 ohm.cm, 캐리어 농도 : (1-3) e18, 전달 시간 : 50-70 일. si 도핑 된 것의 수요가 적고 도핑되지 않은 도판 트 수요가 많기 때문에 도핑되지 않은 도판 트를 장시간 공급하기 위해 대부분의 용량을 도핑되지 않은 도체로 성장시킨다. q : 우리가 요청한대로 한면이 연마되지 않고 양면 연마 된 웨이퍼의 경우. 우리는 분명히 이런 종류의 웨이퍼에 몇 가지 문제가있을 것입니다. 먼저 성장면을 선택하십시오 (어떻게 결정할 것인가?). 두 번째는 기판을 가열하는 것입니다 (이것은 더 많은 온도가 필요해 방사선을 반사 할 것입니다) a : 양면 폴리 쉬드 하나 더 나은 평탄함과 많은 인기있는 하나를 가지고 그러므로 우리는 양면 광택을 제공합니다, 당신은 아파트를 쉽게 성장 얼굴을 확인할 수 있습니다, 아래 참조 : q : 정보를 제공해 주셔서 감사합니다. 양면 폴리싱 된 웨이퍼의 주된 문제점은 가열 복사의 반사이며, 이에 따라 기판의 대향면 (성장 자체가 발생하는 곳)에서 원하는 온도를 얻기 위해보다 높은 온도로 가열되어야한다. 접지면이 열을 더 효율적으로 흡수합니다. a : 광학 반사 흡수를 처리하기 위해 뒷면에 몰리브덴을 코팅하는 것이 하나의 해결책입니다. Q : 웨이퍼를 버퍼 챔버에서 800도에서 탈기 할 수 있습니까? 웨이퍼를 성장 챔버에 도입하기 전에 버퍼 챔버에서 웨이퍼를 탈기시키는 주문형 절차이다. 가스 제거는 다른 온도에서 수행 될 수 있으며, 높으면 높을수록 짧아집니다. 그러나 온도가 상승하면 표면이 열화 될 수 있습니다 (가스 웨이퍼는 버퍼에서 400 셀시스에서 가스가 제거되지만, 성장 챔버에서 대기로서 600 ℃에서 열이 될 수 있으며, 실리콘은 버...
juejun hu와 그의 팀이 생산 한 새로운 소재는 광학 특성을 잃지 않고 반복적으로 늘어날 수 있습니다. 신용 : 매사추세츠 공과 대학교 mit 및 다른 여러 기관의 연구자들은 전자 장치와 유사하지만 전기가 아닌 광에 기반한 광자 장치를 만드는 방법을 개발하여 손상없이 구부리거나 늘어날 수 있습니다. 이 장치는 케이블에 사용되어 컴퓨팅 장치를 연결하거나 피부에 부착되거나 신체에 이식되거나 자연 조직으로 쉽게 구부러 질 수있는 진단 및 모니터링 시스템에 사용할 수 있습니다. 칼 코겐 화합물 (chalcogenide)이라는 특수한 종류의 유리를 사용하는 연구 결과는 쥐에 준 교수 (mit junjun hu)와 미티 (mit) 대학교, 중앙 플로리다 대학교 및 중국과 프랑스 대학의 두 논문에 설명되어있다. 이 논문은 과학과 응용 분야에서 곧 공개 될 예정입니다. 허, 누가 머튼인지 c. 플레밍 (Flemings) 부교수 재료 과학 및 공학 교수는 많은 사람들이 광 신호를 직접 감지 할 수있는 스킨 마운트 (skin-mounted) 모니터링 장치와 같은 응용 분야에서 늘릴 수 있고 구부릴 수있는 광학 기술의 가능성에 관심이 있다고 말합니다. 이러한 장치는 예를 들어 심박수, 혈중 산소 농도 및 혈압을 동시에 감지 할 수 있습니다. 광자 장치는 전자 마이크로 칩을 제조하는 데 사용되는 것과 동일한 종류의 공정으로 제조 된 LED, 렌즈 및 거울 시스템을 사용하여 광선을 직접 처리합니다. 전자의 흐름보다는 광선을 사용하는 것이 많은 응용 분야에서 이점을 가질 수있다. 원래 데이터가 광 기반 인 경우, 예를 들어 광 처리는 변환 프로세스의 필요성을 피합니다. 그러나 대부분의 현재의 포토닉스 디바이스는 단단한 기판 위에 단단한 물질로 제작되어 \"인간의 피부처럼 부드러워 야한다\"는 어플리케이션에 \"내재적 인 불일치\"가있다. 그러나 대부분의 폴리머를 포함한 대부분의 부드러운 소재는 굴절률이 낮다. 굴절률이 낮아 광선을 가두는 능력이 떨어집니다. 이러한 유연한 재료를 사용하는 대신, hu와 그의 팀은 새로운 접근 방식을 취했습니다.이 소재는 딱딱한 소재 (이 경우에는 칼 코겐 화합물이라는 얇은 층의 유리)를 스프링 모양의 코일로 형성했습니다. 강철을 스프링으로 성형 할 때 신축성을 갖도록 구부릴 수있는 것처럼,이 유리 코일의 구조는 원하는 광학 특성을 유지하면서 자유롭게 신축 및 구부러 질 수 있습니다. 새로운 재료를 테스트하는 데 사용 된 실험실 설정에 대한 견해로서 광선을 가두는 기능을 잃지 않고 신축성 있고 휘어 질 수 있고 광자 처리를 수행 할 수 있음을 보여줍니다. 신용 : 매사추세츠 공과 대학교 \"당신은 굴곡성과 신축성을 지닌 고무처럼 융통성있는 것으로 끝나고 높은 굴절률을 가지며 매우 투명합니다.\" 시험은 중합체 기판 상에 직접 제조 된 그러한 스프링 형 구성이 광학 성능에서 검출 가능한 열화없이 수천 회의 연신 사이클을 거칠 수 있음을 보여 주었다. 연구팀은 유연한 스프링 모양의 도파관에 의해 상호 연결된 다양한 광자 구성 요소를 생산했으며, 모두 광학 구성 요소 근처에서보다 견고하고 도파관 주변에서보다 유연하게 제작 된 에폭시 수지 매트릭스에 있었다. 다른 종류의 신축성있는 광자는 폴리머베이스에보다 딱딱한 물질의 나노 막대를 끼워 넣음으로써 만들어졌지만, 추가적인 제조 단계가 필요하고 기존의 광 시스템과 호환되지 않는다고한다. 이러한 유연하고 신축성있는 광자 회로는 장치가 스트레인 게이지와 같은 다른 재료의 고르지 않은 표면을 준수해야하는 경우에도 유용 할 수 있습니다. 광학 기술은 변형에 매우 민감하며, 1 % 미만의 변형을 감지 할 수 있습니다. 이 연구는 아직 초기 단계에 있습니다. hu 팀은 지금까지 한 번에 하나의 장치만을 시연했습니다. \"유용하게 사용하려면 단일 장치에 통합 된 모든 구성 요소를 입증해야합니다.\"라고 그는 말합니다. 이 기술을 상업적으로 적용 할 수 있도록이 기술을 개발하는 작업이 진행 중이며, 2 ~ 3 년이 걸릴 수 있다고합니다. 지난 주 Nature Photonics에 발표 된 다른 논문에서 hu와 그의 공동 연구자들은 기존의 반도체 광 회로와 함께 칼 코겐화물 유리 및 2 차원 재료 인 그래 핀 (graphene)으로 만들어진 포토닉스 층을 통합하는 새로운 방법을 개발했다. 이러한 재료들을 통합하기위한 기존의 방법들은 하나의 표면 상에 만들어지기 위해 필링 된 다음 반도체 웨이퍼로 옮겨 져야하므로 공정에 상당한 복잡성이 추가된다. 대신 새로운 공정을 통해 실온에서 반도체 표면에 직접 층을 제작할 수있어 제조 공정을 간소화하고보다 정교하게 정렬 할 수 있습니다. 이 공정은 2 차원 물질을 주위 습기에 의한 열화로부터 보호하기 위해 그리고 2 차원 물질의 광전자 특성을 제어하는 방법으로 \"패시베이션 층\"으로서 칼 코겐화물 물질을 사용할 수있다. 이 방법은 일반적이고 광자 회로와의 통합을 확대하고 촉진시키기 위해 그라 핀 이외의 신흥 다른 2 차원 물질로 확장 될 수 있다고 그는 말했다. 출처 : phys 자세한 내용은 당사 웹 사이트를 방문하십시오 : http://www.semiconductorwafers.net , 이메일을 보내주십시오. angel.ye@powerwaywafer.com 또는 powerwaymaterial@gmail.com ....
연락처 정보
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
