q : mocvd 이후, p-gan 활성화를 위해 웨이퍼 어닐링을합니까? a : 예! 우리는 p-gan 활성화를 위해 웨이퍼를 어닐링 할 것입니다.
q : pss 웨이퍼의 경우 빛이 사파이어가 아닌 p-gan면에서 나오므로 플립 칩 패키징을 할 수 없습니다. 또한 나는 레이저 리프트 오프가 pss 웨이퍼에서 가능한지 여부를 모른다. a : led 빛은 mqw 빛으로부터 소싱되어 모든 방향으로 방출되고, p-gan은 양 (앞면)이며, 자연스럽게 빛을 낼 것이며, 각 뒷면도 밝아 질 것이다. 사파이어의 바닥은 또한 가볍다. 다른 각도에서 반사 된 빛은 아래를 참조하십시오. 상단 이미지는 전통적인 led 포장입니다. 아래 이미지는 플립 칩 포장입니다.
질문 :이 잉곳 웨이퍼에 대한 광학 특성 데이터가 있습니까? 우리는 그것이 광학적으로 여기 될 때 방출하는 파장을 원한다. pl 스펙트럼은 완벽 할 것입니다. 또한, 어떤 완충층에서 성장한 잉가인입니까? 인듐 조성의 균일 성은 무엇입니까? 어떤 인종 차별이나 무리가 있니? a : 우리의 xrd 자료에 따르면, 농도가 3 개 (10 %, 20 %, 30 %) 모두 ~ 34.5도에 피크가 있습니다. pl 스펙트럼이 첨부 된 것으로 선호된다.
q : sic의 si / c에 대한 원 자비는 얼마입니까? a : sic에있어서의 si / c의 원 자비는 1 : 1이다.
Q : 당신이 제공 할 수있는 4-h 폴리 타입의 유형을 우리에게 말해 줄 수 있습니까? a : 물론.
q : 전위 밀도 \u0026 lt; 어떤 종류의 특성화에서 사파이어에 gan의 1e8? a : 모서리 전위 및 혼합 전위를 고려하여 xrd
q : si-doped gan의 경우 저항과 이동성은 무엇입니까? a : 이동도 : 150-200 저항률 \u003c0.05ohm.cm,
q : 우리는 실제로 pss 웨이퍼의 리드 구조에서 반사율 (미러 유형) 측정 방법을 확인하려고합니다. pss 웨이퍼와 단일면 폴리싱 된 웨이퍼 모두에서 동일한 LED 구조를 얻을 수 있으므로 두 가지를 직접 비교할 수 있습니까? a : 물론.
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