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5-6-5 마이크로 전자 기계 시스템 (mems) 및 센서

5. 실리콘 카바이드 기술

5-6-5 마이크로 전자 기계 시스템 (mems) 및 센서

2018-01-08

이 책의 마이크로 머신에 관한 hesketh의 장에서 설명했듯이 실리콘 기반 멤브레인의 개발과 사용은 계속 확대되고있다. 이 장의 이전 섹션에서는 전통적인 반도체 전자 장치에 대한 sic 사용에 중점을 두었지만 sic은 또한 새로운 mems 응용 프로그램에서 중요한 역할을 할 것으로 예상됩니다. Sic은 극한 경도 및 낮은 마찰과 같은 실리콘 기반 멤브레인의 단점을 보완하는 우수한 기계적 특성을 지니고있어 부식 대기에 우수한 화학적 불활성뿐만 아니라 기계적 마모를 줄여줍니다. 예를 들어, 실리콘의 기계적 성질이 불충분 해 보이는 전기 마이크로 모터 및 마이크로 제트 엔진 발전 원의 장시간 작동을 가능하게하는 우수한 내구성이 검토되고있다.


불행하게도, 실리콘보다 더 견고한 동일한 특성은 또한 마이크로 머신에 더 어려울 수 있습니다. 현재까지 얻어진 거친 - 환경 멤브레인 구조 및 프로토 타입 sic-mems 결과에 대한 접근법은 참고 문헌 124 및 190에서 검토됩니다. 습식 화학 물질로 단결정 4 시간 및 6 시간 에칭의 미세 패턴 에칭을 수행 할 수 없음 (섹션 5.5.4)는이 전자 급의 마이크로 머시닝을 더욱 어렵게 만든다. 따라서, 현재까지의 마이크로 초정밀 기계 가공의 대부분은 실리콘 웨이퍼 위에 증착 된 전기적으로 열악한 헤테로 에피 택셜 3c-sic 및 다결정 실리콘으로 구현되었다. 벌크 마이크로 머시닝 (bulk micromachining), 표면 마이크로 머시닝 (surface micromachining) 및 마이크로 몰딩 기술의 변형이 공진기 및 마이크로 모터를 포함하여 다양한 마이크로 기계 구조를 제조하는데 사용되어왔다. 웨이퍼 공간 및 비용을 다른 사용자와 공유하면서 사용자가 자신의 애플리케이션 특정 마이크로 머시닝 디바이스를 실현할 수있게하는 실리콘 웨이퍼 마이크로 기계 제조 프로세스 파운드리 서비스의 표준화 된 제품이 상업적으로 이용 가능하다.


(5.6.2 절에서 논의 된 고온 트랜지스터 포함) 실리콘에 증착 된 실리콘 층으로는 불가능한 고온, 저 누설 회로를 필요로하는 어플리케이션, 4h / 6h 실리콘 웨이퍼에 훨씬 더 능률적 인 전자 제품을 통합하기위한 개념 epilayers와 함께 제안되었습니다. 예를 들어, 제트 엔진의 고온 영역에서 사용하기 위해 개발 된 압력 센서는 적절한 센서 작동을 달성하기 위해 낮은 접합 누설이 필요하다는 사실 때문에 6h- 식으로 구현됩니다. 고온 감지 사이트에서 신호 컨디셔닝을 유리하게 가능하게하는 온칩 4h / 6h 통합 트랜지스터 전자 장치도 개발되고있다. 모든 마이크로 기계 기반 센서의 경우, 센서로 패키징하는 것은 열역학적으로 유도 된 응력 (센서로 인한 훨씬 큰 온도 범위에 걸친 열 팽창 계수 불일치로 인해 발생 함)을 부식시키는 것을 최소화하는 방식으로 중요합니다. 그러므로 (5.5.6 절에서 언급했듯이) 진보 된 패키징은 가혹한 환경에서 mem의 운영 범위를 유용하게 확장하는 데있어 중요한 부분이다.


5.3.1 절에서 논의 된 바와 같이, 거친 환경 센서의 주요 적용은 연소 엔진 시스템을 능동적으로 모니터링하고 제어하여 오염 물질을 줄이면서 연료 효율을 향상시키는 것이다. 이를 위해 sic의 고온 기능은 배기 가스 모니터링 어플리케이션과 연료 시스템 누출 탐지에 대한 큰 가능성을 가진 촉매 금속 및 금속 - 절연체 - 원형 프로토 타입 가스 센서 구조의 실현을 가능하게했습니다. 실리콘으로는 불가능한 이러한 구조의 고온 작동으로 냉각 필요성없이 엔진에 눈에 거슬리지 않게 쉽게 놓일 수있는 매우 작은 크기의 센서에서 수소 및 탄화수소 함량의 변화를 백만 분의 1 초의 민감도로 신속하게 감지 할 수 있습니다. 그러나 이러한 시스템이 소비자 자동차 및 항공기에 널리 사용될 준비가되기 전에 sic 기반 가스 센서의 신뢰성, 재현성 및 비용에 대한 추가 개선이 필요합니다. 일반적으로, 대부분의 메모리에 대해서도 마찬가지이며, 열악한 환경에서의 높은 신뢰성이 추가 기술 개발을 통해 보증 될 때까지 널리 유익한 시스템 삽입을 달성하지 못합니다.

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